шок. Перенесення цієї функції з віссю абсцис дає значення контактної різниці потенціалів 0.7 В.
Рис. 87. Графіки залежності від напруги 1 / С бар ^ 2 і 1 / С бар ^ 3
Можливі й інші способи визначення С бар за результатами дослідження резонансних частот паралельного або послідовного резонансного контуру в якому в якості ємності використовується бар'єрна ємність pn переходу.
8.5 Стабилитрон як формувач прямокутних імпульсів
Напівпровідниковий стабілітрон - це напівпровідниковий діод, напруга на якому в області електричного пробою при зворотному зсуві слабо залежить від струму в заданому його діапазоні і який призначений для стабілізації напруги.
Рис. 88. Схема використання стабілітрона як формувача прямокутних різнополярних імпульсів
Параметри моделювання:
. TRAN 0 4m 0
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 89. Різнополярних напруги прямокутної форми, сформовані за допомогою стабілітрона
9. Моделювання характеристик варікапа
Варикап - це напівпровідниковий діод, дія якого заснована на використанні залежності ємності від зворотного напруги і який призначений для застосування в якості елемента з електрично керованою ємністю.
Рис. 90. Схема моделювання частотних властивостей послідовного резонансного контуру з варикапом
Параметри моделювання:
. AC LIN 5000 6meg 20meg
. STEP PARAM qwe LIST 1 5 10
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 91. Залежність резонансної частоти послідовного контуру з варикапом від напруги зсуву
Зі зміною напруги зсуву змінюється ємність варикапа і як наслідок цього - резонансна частота контура.
10. Моделювання характеристик дифузійного резистора
У напівпровідникових інтегральних мікросхемах на біполярних структурах в якості резисторів часто використовуються провідні області напівпровідника поміщені, в ізольованих за допомогою pn переходу областях. Наявність ізолюючого pn переходу з його бар'єрної ємністю позначатиметься на значенні опору при роботі на змінному сигналі, особливо в галузі високих частот через шунтуючого дії ємнісного опору pn переходу. На рис. 92 наведені еквівалентні схеми дифузійного резистора складається з 1, 3, 5 і 10 Т-образних RC ланок.
Рис. 92. Еквівалентні схеми моделювання дифузійного резистора складається з 1, 3, 5 і 10 Т-образних RC ланок.
Параметри моделювання:
. AC LIN 5000 1 10meg
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 93. Залежність опору дифузійного резистора від частоти при використанні еквівалентни...
