х схем, що мають змінну кількість ланок
З малюнка видно, що використання еквівалентної схеми складається з трьох ланок вже дає досить точні результати моделювання.
11. Моделювання характеристик транзисторної оптопари
Оптопара - це оптоелектронний напівпровідниковий прилад, що з випромінюючого і фотоприймального елементів, між якими є оптична зв'язок і забезпечена електрична ізоляція.
Транзистор, що реагує на опромінення світловим потоком і здатний одночасно посилювати фототок, називають фототранзистором.
Рис. 94. Схема для моделювання ВАХ фототранзистора на основі транзисторної оптопари
Параметри моделювання:
. DC LIN V_V1 0 15 0.01
. STEP I_I1 LIST 0 5mA 10mA 50mA 100m
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 95. Графік залежності струму колектора від напруги на колекторі транзисторної оптопари
Як видно з графіка, із збільшенням струму світлодіода, зростає і струм колектора.
12. Моделювання характеристик фотоелемента
Напівпровідниковий фотоелемент - це напівпровідниковий прилад з випрямляючим електричним переходом, призначений для безпосереднього перетворення світлової енергії в електричну.
Схема для моделювання характеристик фотоелемента на основі транзисторної оптопари
Параметри моделювання:
. DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 96. Графік генерованих фото ЕРС pn переходами фототранзистора
В транзисторі рівні легування емітера і колектора різні, тому колекторний і емітерний переходи мають різні різниці потенціалів що і призводить до відмінності генерованих pn переходами ЕРС.
13. Моделювання характеристик варистора
Варистор - це напівпровідниковий резистор, опір якого залежить від прикладеної напруги.
Нелінійність ВАХ варисторов обумовлена ??явищами на точкових контактах між кристалами карбіду кремнію. При малих напругах на варисторе може відбуватися туннелирование електронів крізь тонкі потенційні бар'єри, існуючі на поверхні кристалів карбіду кремнію.
При великих напругах на варисторе і відповідно при великих токах, проходять через нього, щільність струму в точкових контактах виявляється дуже великий. Всі напруга, прикладена до Варистор, падає на точкових контактах. Тому питома потужність (потужність в одиниці об'єму), що виділяється в точкових контактах, досягає таких значень, які не можна не враховувати. Розігрів точкових контактів призводить до зменшення їх опору і до нелінійності ВАХ.
Рис. 97. Схема моделювання характеристик варистора
13.1 Вольт-амперна характеристика варистора
