TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 81. Вплив температури на динамічні властивості діода
Так як з ростом температури збільшується час життя неосновних носіїв, заряду інжектованих в базу діода, то збільшується і час відновлення зворотного опору діода. З ростом частоти і температури погіршуються динамічні властивості діода.
8.3.1 На імпульсному сигналі
Рис. 82. Схема моделювання переключательних властивостей діода
Параметри моделювання:
. TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns
. STEP PARAM qwe LIST 1 березня 5
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 83. Тимчасові залежності струму діода при подачі прямокутного імпульсу напруги
З ростом амплітуди прямої напруги збільшується як амплітуда прямого струму, так і час розсмоктування накопиченого заряду, тобто знижується швидкодію діода.
8.3.1.1 Температурний аналіз імпульсних властивостей діода
Параметри моделювання:
. TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns
. TEMP - 60 27 125
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 84. Ток діода при різних температурах
З ростом температури збільшується час життя неосновних носіїв, заряду інжектованих в базу діода, тому збільшується і час відновлення зворотного опору діода. З ростом частоти і температури погіршуються динамічні властивості діода.
8.4 Ємнісні властивості діода
Пряме моделювання ємнісних властивостей діода в програмі Cadance OrCaD Capture неможливо, проте можна запропонувати простий спосіб визначення бар'єрної ємності по зміні зворотного струму при впливі імпульсного сигналу.
I з бар=С бар * (dU / dt)
Звідси C бар=I з бар / (dU / dt). Якщо U=k * t то
З бар=I з бар / k.
Рис. 85. Схема моделювання ємнісних властивостей діода
Параметри моделювання:
. TRAN 0 0.9ms 0.001ms
. PROBE V (alias (*)) I (alias (*)) W (alias (*)) D (alias (*)) NOISE (alias (*))
. INC «.. SCHEMATIC1»
Рис. 86. Графік залежності бар'єрної ємності від напруги.
Як видно з графіка, ємність зменшується з ростом зворотної напруги зсуву на діод через розширення електронно-діркового переходу.
За результатами розрахунку визначається Fi контактна і характер розподілу домішок (лінійний pn перехід або різкий pn перехід). Як видно з графіка, ближче до лінійної залежності графік функції 1 / C бар ^ 3, тобто можна зробити висновок що досліджений діод має лінійний розподіл домі...
