ify"> 4) Опір емітерного переходу транзистора для струму емітера:
5) Опір емітерного переходу транзистора для струму бази:
.
6) Опір бази транзистора:
,
7) Дифузійна ємність емітерного переходу:
,
де f гр - гранична частота коефіцієнта передачі струму - частота, на якій модуль коефіцієнта передачі струму бази в схемі з загальним емітером | h 21Е |=1 (для граничної частоти часто використовується міжнародне позначення f т),
f ізм - частота, на якій виміряно модуль коефіцієнта передачі струму бази | h 21Е |.
Значення | h 21Е | і f вим береться з довідника, причому значення f вим - з тієї ж рядки довідника, що і | h 21Е | (колонка «Режими виміру»).
8) Крутизна транзистора:
6. Розрахунок основних параметрів каскаду
1) Коефіцієнт підсилення по напрузі:
2) Коефіцієнт посилення по струму:
) Коефіцієнт підсилення по потужності:
4) Вхідний опір каскаду:
) Вихідний опір каскаду:
7. Оцінка нелінійних спотворень каскаду
Побудуємо навантажувальну пряму по змінному струмі, яка проходитиме через робочу точку і точку B (рис. 8) з напругою:
U B = U КЕ рт + I До рт ( R До || R Н).
Оцінимо максимальну амплітуду вихідної напруги каскаду U ВИХІД m з урахуванням «підтягування» робочої точки до найближчої вихідний характеристиці. Максимальна амплітуда U ВИХІД m буде дорівнює меншому з двох напруг: напруги в робочій точці U КЕ рт і різниці напруг U B - U КЕ рт.
Побудуємо наскрізну характеристику каскаду - залежність струму колектора i До від напруги база-емітер u БЕ, для чого попередньо заготовимо наступну таблицю:
Таблиця 5 - Дані для побудови наскрізної характеристики
I Б, мкА00,050,0750,10,150,2 U БЕ, В0,430,610,640,650,6650,675 < i align="justify"> I К, мА21825314252
Наскрізну характеристику будуємо за навантажувальної прямої по змінному струму. У таблиці? I Б - крок по струму бази, з яким наведені вихідні характеристики в довіднику.
Кожну точку перетину навантажувальної прямої по змінному струму з вихідними характеристиками транзистора спроеціруем на вісь струмів. Отримані значення струму колектора i К1 - i К7 занесемо в таблицю.
Напруження база-емітер, відповідні струмам i К1 - i К7, можна знайти за вхідною характеристиці транзистора (рис. 9), для чого на осі струмів треба відкласти значення струмів бази з таблиці, спроектувати їх на вхідні характеристику, а потім - на вісь напруг база-емітер. Якщо скористатися вхідними характеристиками транзистора, що приводяться в довіднику, то точність відліку напруг база-емітер буде вкрай низькою.
Використовуючи пари значень U БЕ, I До з таблиці, побудуємо наскрізну характеристику каскаду, і визначимо найбільшу амплітуду вхідного сигналу U БЕ m .
Оцінимо нелінійні спотворення, що вносяться каскадом, при максимальній амплітуді вхідної напруги. Для оцінки нелінійних спотворень скористаємося методом п'яти ординат, який називають також методом Клину. Метод п'яти ординат дозволяє наближено знайти амплітуди перших чотирьох гармонік вихідної коливання каскаду і відповідні коефіцієнти гармонік.
Для використання методу п'яти ординат побудуємо на наскрізний характеристиці точки C і D , які повинні бути видалені від робочої точки на половину амплітуди напруги вхідного сигналу. У результаті на наскрізний характеристиці отримаєте п`ять рівновіддалених по осі напруг точок A , B , РТ, C і D , ординати яких i A , < i align="justify"> i B ,
