внутрішнього) опору джерела сигналу Z г і даних вхідного опору першого каскаду. Вхідний опір останнього, як відомо, залежить від вибору активного елемента і схеми його включення, а також від наявності або відсутності ланцюга негативного зворотного зв'язку, що охоплює перше каскад. Відносно вхідний ланцюга прийнятним слід вважати таке рішення, при якому коефіцієнт передачі вхідного ланцюга був би по можливості ближче до одиниці, а час наростання фронту імпульсу було б менше або не перевищувало б (при відсутності особливих обставин) час встановлення попереднього каскаду посилення.
Розрахунок вхідного ланцюга і першого каскаду можна виконати як роздільно, так і спільно. Слід зазначити, що застосування високочастотної корекції в першому каскаді дозволяє (завдяки прискореної реакції першого каскаду) компенсувати відносно повільне наростання фронту імпульсу у вхідному ланцюзі при великому внутрішньому опорі джерела сигналу. Іноді для зменшення часу встановлення вхідного ланцюга перспективно застосування на вході підсилювача гібридної підсилювальної секції, що поєднує каскади на польовому і біполярному транзисторах, використання якої дозволяє поліпшити показники підсилювача.
Вихідний каскад здійснює зв'язок підсилювача з навантаженням. Розрахунок вихідного каскаду і вибір режиму його роботи, на відміну від інших каскадів, пов'язаний з такими особливостями: 1) необхідністю отримання на даному опір навантаження підсилювача імпульсу напруги певної амплітуди і полярності; 2) необхідністю максимально використовувати можливості активного елементу, оскільки цьому в більшості випадків відповідає економічно найбільш вигідне рішення; 3) необхідністю вибрати схему каскаду і режим активного елементу по постійному і змінному струмах так, щоб час встановлення у вихідному каскаді при допустимому викиді не становило б занадто великою частини загального часу встановлення підсилювача (бажано не більше 60%), так як інакше треба було б більше число каскадів (або підсилювальних секцій) у блоці попереднього посилення, а також ускладнилася б схема каскадів.
Попереднє посилення зазвичай виконується на однакових каскадах або підсилювальних секціях (виняток становить іноді перший каскад або перший вхідна підсилювальна секція).
При однакових каскадах або секціях можна більш точно визначити основні параметри блоку попереднього посилення (коефіцієнт посилення, час встановлення фронту імпульсу і викид) навіть тоді, коли викид в перехідній характеристиці значний.
Застосування підсилюючих секцій з ланцюгами негативного зворотного зв'язку різного виду сприяє більш стабільній роботі блоку попереднього посилення і всього підсилювача. Якщо до стабільності роботи підсилювача не пред'являються дуже жорсткі вимоги, допустимо використання підсилювальних секцій з взаємно коригувати каскадами.
Вибір типу активного елементу (біполярний транзистор, польовий транзистор, лампа) зазвичай не представляє труднощів. Розробка біполярних транзисторів з високою верхньої граничної частотою значно обмежила використання електронних ламп в високочастотної апаратурі і, зокрема, в схемах імпульсних підсилювачів.
З микроминиатюризацией радіоапаратури і вдосконаленням технології її виробництва виявилися нові особливі вимоги до конструктивним параметрам активних елементів, яким вакуумні прилади не задовольняють. У сучасних імпульсних підсилювачах переважно використовуються біполярні транзистори, які мають високу добротність. Польові транзистори характеризуються значно меншою добротністю ніж біполярні транзистори і лампи, що обумовлено порівняно малою крутістю характеристики струму стоку і великий вхідний динамічної ємністю. Зазначене істотно обмежує область самостійного використання польових транзисторів (не в поєднанні з біполярними) особливими випадками, коли застосування інших активних елементів за умовами експлуатації неприйнятно. Зазначимо тут, що в порівнянні з біполярними транзисторами польові транзистори характеризуються підвищеною радіаційною стійкістю, а також здатні працювати в умовах широкої зміни температури зовнішнього середовища. Зокрема, польові транзистори успішно працюють при вельми глибокому охолодженні, причому їх електричні параметри при цьому поліпшуються. Це дозволяє застосовувати їх у приладах, призначених для досліджень в галузі фізики низьких температур.
3. Вибір типу транзистора для вихідного і попередніх каскадів підсилювача.
Транзистор для вихідного каскаду вибирається виходячи із заданої амплітуди імпульсу напруги на виході підсилювача () і часу встановлення підсилювача (), також звернемо увагу на те, що в схемі є активна низькоомних навантаження (кабель), що веде до необхідності використання транзистора з великим значенням IK MAX.
За частотою: fT? 3/tу
По напрузі: U ви...
