fy"> Рис.3. Графік залежності U від I при U <0
Зняття характеристик при Uпр = 0,2 В; R = 0,1 Ом; ? = 1 * 10-7 1/ Ом
Таблиця 3. U> 0
№ U, ВI, А № U, ВI,
Рис.4. Графік залежності U від I при U> 0
Таблиця 4. U <0
№ U, ВI, нА № U, ВI,
Рис.5. Графік залежності U від I при U <0
Зняття характеристик при Uпр = 0,4 В; R = 0,5 Ом; ? = 1 * 10-91/ Ом
Таблиця 5. U> 0
№ U, ВI, А № U, ВI, А100144, 58,220,33 * 10 -10 Рис.6. Графік залежності U від I при U> 0
Таблиця 6. U <0
№ U, ВI, нА № U, ВI,
Рис.7. Графік залежності U від I при U <0
Діод SimElectronics
В
Опис:
Доданий блок являє собою один з наступних типів діодів:
В· Кусково-лінійний
Моделює кусково-лінійний діод, такий же, як і в Simscape Diode block, але з додаванням фіксованою ємності переходу. Якщо напруга на діод перевищує значення, вказане в параметрі Forward, то діод поводиться як лінійний резистор з опором, зазначеним у параметрі "On". В іншому випадку діод поводиться як лінійний резистор з слабкий провідністю, зазначеної в параметрі "Off". Нульове напруга на діод призводить до відсутності струму. p align="justify"> В· Кусково-лінійний Зенера
Кусково-лінійна модель Зенера поводиться як кусково-лінійна модель діода для напруги понад Vz, де Vz є значенням зворотної напруги пробою Vz. При напрузі менш Vz, діод поводиться як лінійний резистор з низьким опором Зенера, зазначеного в параметрі Rz опору Зенера. Ця модель діода також включає в себе фіксовану ємність переходу. p align="justify"> В· Експоненційний
Експоненціальна діодна модель забезпечує наступні відносини між доданими струмом I і доданими напругою V:
В
де: - елементарний заряд електрона (1.602176e-19 Кл). - Постійна Больцмана (1.3806503e-23 J/K). - значення напруги пробою. - коефіцієнт емісії. - потік насиченості. - температура , при якій діодні параметри повинні бути задані, як визначено значенням параметра вимірювання температури.
В
Рис.8. Схема з діодом
Зняття характеристик при Uпр = 0,6 В; R = 0,3 Ом; ? = ...
