1 * 10-8 1/ Ом
Таблиця 7. U> 0
№ U, ВI, А № U, ВI,В
Рис.9. Графік залежності U від I при U> 0
Зняття характеристик при Uпр = 0,3 В; R = 0,3 Ом; ? = 1 * 10-8 1/ Ом
Таблиця 8. U> 0
№ U, ВI, А № U, ВI,В
Рис. 10. Графік залежності U від I при U> 0
Зняття характеристик при Uпр = 0,2 В; R = 1 Ом;? = 1 * 10-8 1/ом
Таблиця 9. U> 0
№ U, ВI, А № U, ВI,
Рис.11. Графік залежності U від I при U> 0
Зняття характеристик при Uпр = 0,2 В; R = 0,3 Ом; ? = 1 * 10 -8 1/ом
Таблиця 10. U> 0
№ U, ВI, А № U, ВI,В
Рис.12. Графік залежності U від I при U> 0
Висновок
У виконану роботу ми досліджували два діоди з бібліотек Simscape і SimElectronics. Обидві моделі виявилися обмежені, так як передбачено обмеження по опору, проте в досліджуваних межах моделі діодів працювали добре. У результаті ми досліджували 7 ланцюгів, побудували їх вольтамперні характеристики. p align="justify"> бібліотека simelectronics діод вольтамперная
Апроксимація графіків вольтамперних характеристик діодів
Дано вольтамперні характеристики реальних діодів при 2х різних температурах. Необхідно апроксимувати ці функції різними методами. При виконанні роботи я використовував різні методи апроксимації: за допомогою функцій лінійної, квадратичної, кубічної і експоненційної залежностей. Функції і області їх значень визначалися за допомогою підстановки різних значень. br/>
Вихідний графік
В
Рис.1. Вихідний графік ВАХ досліджуваного діода
Функції першого ступеня
Вихідний код програми
% малюємо перший графік
x_1 = [0 .05 .15 .2 .2375 .2625 .2875 .31 .325 .3375 .35 .36 .371 .39 .405 .425]; _1 = [0 .15 1.5 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 60 70 80];
cs_1 = spline (x_1, [0 y_1 0]); _1 = linspace (0, .425, 20); (x_1, y_1, 'o', xx_1, ppval (cs_1, xx_1) , '-', 'LineWidth', 2);
hold on;
% малюємо другий графік
x_2 = [0 .1 .2 .25 .2875 .3125 .3375 .36 .375 .3875 .4 .41 .421 .44 .455 .475];
y_2 = [0 .15 1.5 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 60 70 80]; _2 = spline (x_2, [0 y_2 0]); _2 = linspace (0,. 475, 20); (x_2, y_2, 'o', x...
