Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Воден в шарувато кристалах GaSe

Реферат Воден в шарувато кристалах GaSe





b> GaSe від концентрації введеної домішки (0 < х ≤ 1) у діапазоні температур 77-293 К. Напівшіріну ексітонної смуги Визначи Шляхом аналізу Тільки довгохвільової ее половин, яка при відсутності міжзонніх переходів має симетричний вигляд. Концентраційні залежності енергетичного положення ексітонного максимуму (Е екс ) i напівшіріні ексітонної смуги (О”H) водневого інтеркалата H x GaSe характеризуються при кімнатній температурі немонотонність поведінкою (рис. 1): у ділянці вмісту домішки х ≈ 0 Г· 0.4 відбувається Збільшення ціх характеристик, при подалі зростанні х спостерігається Обернений Хід кривих Е екс ( х ) i О”H ( х ). Як видно з рис. 2, інтеркаляція селеніду ґалію Водного приводити при Т = 77 К до Зсув енергетичного положення ексітонного максимуму у високоенергетичних ділянку та Розширення ексітонної смуги поглинання. Слід відзначіті, что енергетичне положення и напівшіріна ексітонного максимуму залежався від вмісту інтеркалянта: в інтервалі 0,1 <х <0,35 Е екс та О”H кріві перелогових Е екс ( х ) та О”H ( х ) набуваються постійного значення.

На підставі температурних ДОСЛІДЖЕНЬ спектрів пропускання Визначи температурні КОЕФІЦІЄНТИ зміщення Першого ексітонного максимуму Dе екс /DT и Зміни напівшіріні ексітонної смуги dH/dT "чистих" та інтеркальованіх напівпровідніків у ділянці температур 77-293 К (таблиця 1). br clear=all>

Таблиця 1. Температурні КОЕФІЦІЄНТИ зміщення Dе екс /dT та dH/dT.

Сполука

Dе екс /dT, еВ/град

dH/dT, еВ/град

GaSe

- 4.7 Г— 10 -4

- 4.0 Г— 10 -5

H 0.4 GaSe

- 5.0 Г— 10 -4

- 4.5 Г— 10 -6


Зміщення енергетичного положення ексітонного Піка при Т = 293 К можна пов'язати Зі зміною ширини забороненої Зони та ЕНЕРГІЇ зв'язку при інтеркаляції. Зважаючі на спеціфіку крісталічної структурованих GaSe, слід відзначіті, что Внески відповідніх деформацій (между кулями, в межах кулі) у перебудову енергетичного спектра GaSe могут по-різному змінюватіся при інтеркаляції Водного. При збільшенні деформаційніх напруг у шарувато кристалах, зв'язаних Із вплива різніх факторів (зокрема Зі збільшенням концентрації інтеркалянта), значення пружньо постійніх, Які характеризують зв'язок между атомами водного, в межах шарів зростають повільніше, чем відповідні постійні между кулями. Зміщення максимуму ексітонного Піка в ділянку більшіх енергій на 7 МЕВ (рис. 1) у інтервалі вмісту Водним 0 < х ≤ 0.4 зумовлено зміною пружньо постійніх меж...


Назад | сторінка 2 з 6 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Воден в шарувато матрицю
  • Реферат на тему: Моделювання міграції та осадження домішки на основі конвекційно-дифузійної ...
  • Реферат на тему: Воден як альтернативний вид палів
  • Реферат на тему: Експериментальні методи Вивчення Електронної структурованих шарувато напівп ...
  • Реферат на тему: Дефекти в кристалах