ення приладів та ІС, проводилася інтенсивна розробка методів отримання кристалів арсеніду галію. У 1956 р. був вирощений кристал GaAs за методом Чохральського з обволіканню розплаву інертною рідиною. Цей метод дозволяє вирощувати кристали виключно високого ступеня чистоти. Іншим напрямком технології створення матеріалів GaAs була розробка способу вирощування підкладок напівізолюючих GaAs з відтворюваними властивостями. p align="justify"> У 1963 р. була опублікована робота, в якій Ганн вперше описав явище, відоме зараз як ефект Ганна. Експеримент з ємнісним пробником, виконаний Ганном, показав, що виникнення НВЧ коливань пов'язано з пересуванням домену сильного електричного поля через зразок. Ще одним класом НВЧ діодів, створення яких зробило істотний вплив на розвиток технології виготовлення приладів на GaAs, є лавинно-пролітні діоди. У 1965 р. були виготовлені перші ЛПД, в яких використовувалися pn-переходи. p align="justify"> Перший польовий транзистор на арсеніді галію був виготовлений на епітаксиальні шарі n-типу, вирощеному на підкладці з напівізолюючих GaAs, в 1966 р. МЗС. Пізніше, в 1967 р., з'явилося повідомлення про виготовлення на GaAs польового транзистора з pn-переходом. p align="justify"> У 1974 р. було повідомлено про використання польових транзисторів на GaAs в цифрових схемах. Паралельно з роботами, спрямованими на створення цифрових ІС, проводилася розробка монолітних ІС НВЧ діапазону. p align="justify"> Використання процесу іонної імплантації, вперше застосованого в 1977 р. в технології виробництва приладів на GaAs, зробило істотний вплив на вдосконалення як цифрових, так і аналогових інтегральних схем. p align="justify"> Роботи з виготовлення лазерних і світловипромінюючих діодів (СІД) видимого діапазону на матеріалах А III В < span align = "justify"> V привели в 60-х роках до створення методів епітаксійного росту плівок для виготовлення гетероструктур. Для вирощування потрійних сполук, наприклад GaAsP, використовувалася епітаксії з рідкої фази (ЕЖФ), а також досліджувалася можливість створення епітаксійних шарів методом молекулярно-променевої епітаксії (МЛЕ). У 1974 р. метод МЛЕ був використаний для виготовлення лавинно-пролітних діодів, а також були створені лазерні діоди з двома гетероперехідами GaAs - AlGaAs.
Існує багато перспектив розвитку технології виготовлення інтегральних схем на основі GaAs. Арсенід галію часто називають матеріалом майбутнього: сфера його застосування вже на сьогоднішній день дуже широка і, цілком ймовірно, буде розширюватися. p align="justify"> 1. Будова GaAs і його властивості
1.1 Будова GaAs. Кристалічна структура
Більшість сполук А III В V , в...
