, при довжині зразка порядку 0,1 мм. Цей ефект генерації НВЧ-коливань отримав назву ефект Ганна. З усіх видів нестійкості струму найменш вивченим є клас нестійкостей, обумовлених рекомбінацією зарядів в напівпровідниках - рекомбінаційних неустойчивостей струму [4]. Необхідною умовою існування коливань є наявність в зразках пасток, енергетичні рівні яких потрапляють в заборонену зону напівпровідника. Такі рівні створюють або введенням домішки, або пов'язані з наявністю всіляких дефектів або поверхневих станів.
Істотна особливість характеристики на рис. 1, а, полягає в тому, що в певній галузі значень струмів, jv lt; j lt; Jр, напруженість поля є багатозначна функція щільності струму. В інтервалі jv lt; j lt; j р при заданому значенні щільності струму система може перебувати в одному з трьох просторово однорідних станів, у двох з них (при Е = Е 1 і при Е=Е 3 ) диференціальна провідність позитивна, в третьому (при Е = Е 2 ) -негативних. Вольтамперная характеристика такого виду називається N-образної. Очевидно, в цьому випадку диференціальна провідність змінює знак, проходячи через нуль в точках ( Е=Е p , j=j p ) і ( Е=E v , j=j v ).
Характерною особливістю нестійкості струму є область негативної диференціальної провідності на ВАХ (Рис. 1, а) [3].
На Рис. 1,6 представлена ??вольтамперная характеристика іншого типу, звана S-образної. Вона відповідає випадку, коли в деякому інтервалі значень напруженості поля щільність струму j є неоднозначна функція Е , а диференціальна провідність змінює знак, звертаючись в нескінченність в точках ( Е=Е p , j=j < i align="justify"> p ) і (Е=E v , j=j v ) (рис. 1, б).
В роботі [4] Наведено результати експериментальних досліджень зразків p-Ge (Au) та проведено їх якісне порівняння з одновимірної теоретичною моделлю, розробленою для рекомбинационной нестійкості в германии із золотом в двохпараметричній просторі" напруга-емісія". Показано існування в системі трьох режимів функціонування в просторі параметрів. Виявлено наявність на вольт-амперної характеристиці (ВАХ) другої ділянки з S-перемиканням, який, можливо, пов'язаний з шумоіндуцірованним нерівновагим фазовим переходом. Також були виявлені різні режими функціонування, виникнення субдоменів і їх перебудова, а також інші властивості, незвичайні для типових нелінійних систем. При цьому вольт-амперні характеристики (ВАХ) зразків, залежно від області параметричного простору, змінювалися від омічний до суперлінейной, в подальшому плавно переходили до насичення або N-образній формі і далі з ростом параметрів надкритичність - до S-образної ВАХ. У роботі використовувалися p + -p - n + -Структури з d= 1 ? 3 мм на основі p-Ge (Au) з наступними характеристичними параметрами при 77 K: I група зразків- ? 1 = 8.7 10 4 Ом см, ? 1 =16500 см 2/ У с, P 01 = 4.33 +10 9 см - 3, II група зразків - ? 2=1.95 +10 5 Ом см, ? 2 =29900 см 2/В С, P 02=1.07 +10 9 см - 3 (де ? - питомий опір, ? - рухливість дірок, P 0 - рівноважна концентрація дірок). Виміри проводилися в температурному інтервалі 77-130 K в імпульсному режимі з тривалістю до 500 мкс щоб уникнути джоулева розігріву зразка, а тривалості пилообразного імпульсу напруги для запису висхідній і низхідній гілок ВАХ становили 400 мкс. Отримані результати, у разі одночасних інжекції з контактів та освітлення із зростанням напруги, представлені на малюнку 2.
Рис. 2. Тимчасові реалізації, фазові портрети і спектри потужності при значеннях прикладеної напруги: 1 - 31.4 V, 2 -102.4 V, 3 - 107.5 V.
На початку сублінейного або N-ділянок виникають коливання струму, бли...
