зькі за формою до когерентним, які із зростанням прикладеної напруги через квазіперіодичності (рис. 2,1) переходять в хаотичні коливання (рис. 2,2). Подальше збільшення напруги призводить до пічкообразним коливанням доменного типу (рис. 2,3).
У роботі [5] наведено дані про виявленні і дослідженні нового типу електричної нестійкості в плазмі напівпровідників - так званих рекомбінаційних хвиль. Використовувалися зразки на основі Ge n - типу. Центрами рекомбінації були атоми марганцю. Марганець компенсувався сурмою так, що верхній рівень (Е з - 0,37 ев) був заповнений електронами частково. Спонтанні коливання струму виникали при температурах, близьких до кімнатної, і існували в порівняно вузькому інтервалі температур (кілька десятків градусів). Критичне поле нестійкості було мало і для різних зразків лежало в межах небагатьох десятків В/см. Вахи зразків до виникнення коливань струму були суворо лінійними. Поблизу порога коливання струму мали шумовий характер, але при подальшому збільшенні поля ставали правильними. Частота коливань лежала в межах 0,1 - 1 Мгц і не залежала від довжини кристалів. Амплітуда коливань була велика; глибина модуляції струму (i max - i min)/i max досягала 50-90%. Дослідження зміни потенціалу в просторі та часі в процесі коливань, проведене за допомогою рухомого притискного зонда, показало, що нестійкість має об'ємний характер. При цьому було виявлено, що коливання поля виникають тільки в обмеженій частині кристала, віддаленої на різні відстані від обох електродів. Спеціальні досліди із зразками вельми різної форми показали, що можлива інжекція з контактів не грає принципової ролі у розвитку нестійкості. Точно так само не було виявлено помітного впливу обробки поверхні кристалів.
Також в роботі був проведений порівняльний аналіз отриманих даних з теоретичними розрахунками. Його результати для зразка з найбільш інтенсивними коливаннями струму представлені в Таблиці 1.
Таблиця 1.
T , ° Kn 0, см - 3 p 0, см - 3 N, см- 3 f E теор, см - 1 E експ см - 1 ? теор, с - 1? експ с - 1 k теор, см - 1 313 4,3 10 13 4,3 10 13 5 10 14 0, 3118182 10 5 1 10 6 40
Де n 0, p 0 - рівноважні концентрації електронів і дірок,
N - концентрація Mn,
f - рівноважна ступінь заповнення електронами верхнього рівня марганцю при температурі досвіду,
E - значення поля
?- Частота коливань
k - значення критичного поля
У роботі [6] досліджувалася рекомбінаційна нестійкість струму в епітаксійних p + - n - структурах з локально введеними в n - область домішковими атомами і визначалися параметри глибоких центрів на її основі.
Зразки виготовлялися на основі кремнієвих структур на p -область ( ? = 10 - 2 Ом см) яких епітаксійних вирощувався n -шар товщиною 10-15мкм ( ? = 2-4 Ом см). Активний контакт створювався за допомогою розміщення на n -області структури наважок з домішкових атомів олова, свинцю і кадмію у вигляді кульок діаметром 0.5 мм. Типова ВАХ активного контакту (АК) при розімкнутому p + -n < i align="justify"> - переході наведена на рис. 2.
Особливість ВАХ полягає в тому, що з деякого зворотного напруги величиною U ak (U ak = 2-8В для різних зразків) у ланцюзі АК виникають інтенсивні імпульсні коливання струму (характерне розмиття на ВАХ, див. рис. 2). Одночасно на p + - області щодо виведення бази виникають пилковидні коливання потенціалу великої амплітуди. Типова осцилограма коливань струму через АК і напруги на p + -n < i align="justify"> - переході наведена на рис. 3.
Як зазначають дослідники, одним з найбільш важливих процесів, що сприяють зазначеним особливостям структури, є стимульоване позитивними зворотними зв'язк...
