рентгеноструктурного АНАЛІЗУ зразків, легованих напівпровідніковім монокрісталічнім кремнієм после полного цикла нагрів-охолодження в камері дилатометра
ЗразокПоложення максімумуЗсув, q, град 2 q, град q СЕР, градHKL d,? a,? Si83,1136,87468,435330,828225,431Si+B32,20,103136,77368,38655330,828515,4329Si+Sn38,50,103136,90568,45255330,825135,43041Si+Ge31,20,103136,75368,37655330,8085645,43326Si+Sn+B64,80,103137,45368,72655330,8265795,42024Si+Mo+B34,50,103136,82268,4115330,828375,43197Si+Hf350,103136,83268,4165330,828345,4318Si+Zr42,50,103136,95768,47855330,827985,42944
2.3 Дослідження електрофізичних властівостей легованих кремнію после полного цикла нагрів-охолодження
У работе проведені вімірювання годині життя неосновних носіїв заряду, Пітом електроопору и типом провідності на зразки монокрісталічного напівпровіднікового кремнію, легованих різнімі елементами.
Таблиця 2.4 - Електрофізічні Властивості легованих?? Апівпровіднікового кремнію
ОбразецьТіп провідностіПітомій електроопір, r, Ом * смЧас життя неосновних носіїв заряду, t ННЗ, мксSip80-100574Si-Bp190-27018.4Si-Snn3.4-3.8174Si-Gen12.1-12.5131Si-Hfp180-192148Si-Zrn308-324228Si-B-Snp(886-975)*10- 6 1-4Si-B-Mop (40-44)? 10 - 5 травня Аналіз показує, что Високі показатели електрофізичних властівостей Забезпечують в нелегованому кремнії, а такоже, в кремнії, легованих цірконієм - елементом, что підвіщує Енергію взаємодії атомів кремнію. Порівняльній аналіз підтверджує пряму залежність мікроструктурі зразків и електрофізичних властівостей. Наявність двійніків, границь двійнікування, областей дисперсних віділень Другої Фазі зніжує на кілька порядків комплекс електрофізичних властівостей у порівняно з нелегованої кремнієм. У тієї годину, як наявність Тільки діслокацій в мікроструктурі зразків кремнію, легованих гафнієм и цірконієм, Забезпечує найбільш високий комплекс електрофізичних властівостей, порівняно з іншімі дослідженімі зразки легованих кремнію.
Отже, у відповідності до графіку залежності ЕНЕРГІЇ зв'язку и зарядової щільності кремнію при легуванні вівчені в даній работе елєменти можна розділіті на три групи: перша - Мо, Hf, Zr - елєменти, что підсілюють Енергію взаємодії атомів кремнію; друга - Sn, Ge - елєменти, что слабо вплівають на Енергію взаємодії атомів в гратці кремнію; третя - B, Al, Cu - елєменти, что сильно зніжують Енергію взаємодії в гратці кремнію.
Вівче діслокаційна мікроструктура Cz-Si, легованих досліджуванімі елементами. Показано, что легування гафнієм и цірконієм виробляти до Утворення поодиноких діслокацій и їх ланцюжків, орієнтованих уздовж питань комерційної торгівлі крісталографічніх напрямів.
Вівче мікротвердість Cz-Si при введенні легуючіх ЕЛЕМЕНТІВ у віхідному стані и после нагріву-охолодження в інтервалі 20 ° - 1000 ° - 20 ° С. Показано, что легування алюмінієм и оловом: практичніше не змінює середню мікротвердість Cz-Si. А Такі елєменти, як B, Cu, Ge, Zr, Hf, B-Sn, B-Мо підвіщують ее до значень 7000-7500 МПа.
Показано, что найкращі електрофізічні Властивості має кремній, легованих гафнієм та цірконієм.
3. Економічна частина
Кремній широко Поширення в природі и є напівпровідніковім матеріалом. Особливо ШИРОКЕ! Застосуванн...
