га Uке» 0,2 В. При цьому напруга на базі VT3 (щодо загального проводу) одно: Uбеvt4 + Uкеvt2=0.9В. А напруга емітера VT3 (щодо загального проводу при відсутності діода VD) дорівнює: Uке=0,2 В. З цього випливає, що (за відсутності діода) напруга між емітером і базою VT3 не може бути менше 0,7 В, т.е . транзистор VT3 неможливо закрити. При введенні додаткового діода VD це напруга (0,7 В) розділяється між переходом емітер-база VT3 і діодом. Як випливає з рис. 2.2 при напрузі 0,35 В перехід емітер-база і кремнієвий діод знаходяться в Передпороговий (нетокопроводящих) стані.
При закриванні транзисторів VT2 і VT4 відкривається емітерний повторювач VT3. Але напруга на виході логічного елемента буде менше напруги джерела живлення (Ек=5 Вольт) на величину падіння напруги на переході емітер-база VT3 і на діод VD. Тому високому (одиничного) логічному рівню на виході інвертора відповідає напруга:
вих=Ек - (Іб * R2) - (2 * 0,7) »3,5 В. (2.10)
.3.3 Статичні параметри базового елементу ТТЛ
До основних статичним параметрами відносяться:
напруга логічної одиниці U1;
напруга логічного нуля U0;
порогове напруга елемента Uпор (вхідна напруга, малі зміни якого призводять до переходу вихідної напруги з одного логічного стану в інший);
коефіцієнт посилення по напрузі в режимі аналогового підсилювача Ku;
вхідний струм логічної одиниці I1вх;
вхідний струм логічного нуля I0вх;
вихідний струм логічної одиниці I1вих;
вихідний струм логічного нуля I0вих;
потужність споживання в стані логічного нуля на виході Р0;
потужність споживання в стані логічної одиниці на виході Р1;
середня потужність споживання
РСР=(Р0 + Р1) / 2;
коефіцієнт розгалуження по виходу (навантажувальна здатність) Краз;
Основні статичні параметри можна визначити при аналізі вхідний і передавальної характеристик базового ТТЛ елемента. Деякі статичні параметри задаються в ТУ заводом-виробником.
інформаційний сигнал ентропія обчислювальний
Рис. 2.14 - Вхідна характеристика елемента ТТЛ серії К155
При нульовій напрузі на вході елемента ТТЛ (точка А на рис. 2.14) протікає вхідний струм від джерела живлення Ек через резистор R1 і перехід база-емітер МЕТ (див. рис. 2.12):
. (2.11)
Напруга на базі МЕТ одно 0,7 В. Ця напруга докладено до переходу база-колектор МЕТ і до двох переходах база-емітер складного інвертора. Тому всі ці переходи знаходяться в Передпороговий (нетокопроводящих) стані.
При збільшенні вхідної напруги вхідний струм зменшується у відповідності із співвідношенням:
. (2.11 ')
При вхідній напрузі 1,1 ... 1,2 В (точка В на рис. 2.14) напруга на базі МЕТ досягає величини 1,5 ... 1,7 В. Цього напруги достатньо для переходу в струмопровідне стан переходу база-колектор МЕТ і двох переходів база-емітер складного інвертора. Тому струм, що протікає від джерела живлення через резистор R1, починає в базі розділятися між переходом база-еміт...
