1 хвилина, I = 0,85 А, U = 712 В, товщина 17,5 мкм, швидкість напилення 291,3 нм/с.
В
Малюнок 27 - Зображення фрагмента робочої програми для профілометра поверхні зразка № 11, отриманого за допомогою магнетрона з жідкометалліческім мішенню без додаткової магнітної системи.
В
Малюнок 28-Профіль поверхні зразка № 11, отриманого за допомогою магнетрона з жідкометалліческім мішень без додаткової магнітної системи (відстань мішень підкладка 15см)
На малюнку 29 наведено результат вимірювання товщини тонкої плівки свинцю з урахуванням зменшення відстані між мішенню і підкладкою. p align="justify"> Параметри експерименту: відстань до підкладки: 13 см, Р відкачування = 3 * 10-7 мВт, Р аргону = 2 * 10-5 мВт, стабілізація за потужністю: 600 Вт, вихід на режим: 5 хвилин 20 секунд, час напилення: 1 хвилина, I = 0,89 А, U = 688 В, товщина 18,7 мкм, швидкість напилення 311,7.
В
Малюнок 29 - Зображення фрагмента робочої програми для профілометра поверхні зразка № 20, отриманого за допомогою магнетрона з жідкометалліческім мішенню без додаткової магнітної системи (відстань мішень підкладка 13см)
В
Малюнок 30-Профіль поверхні зразка № 20, отриманого за допомогою магнетрона з жідкометалліческім мішенню без додаткової магнітної системи (відстань мішень підкладка 13см)
Решта графіки профілю товщини тонких плівок представлені у додатку А.
З отриманих даних видно, що товщини тонких плівок і швидкості їх напилення мають відносно великі значення. Якщо порівняти дані показники зі значеннями товщин і швидкостей МРС з твердою мішенню, то можна побачити, що показники МРС з рідкою мішенню перевершують в десятки разів. Це говорить про те, що даний магнетрон дозволяє отримувати В«товстіВ» тонкоплівкові покриття. Такі покриття є незамінною складовою в різних галузях науки і техніки - отримання мікросхем, космічна промисловість тощо
.3 Вимірювання швидкості напилення тонкоплівкових покриттів
Обчислення швидкості напилення здійснювалося за такою формулою V = h/t, де h-товщина тонкої плівки, t - час напилення даної плівки, V - швидкість напилення плівки. Результати наведені в таблиці 4. br/>
Таблиця 4 - Протокол швидкості осадження зразків при різних режимах напилювання
P стаб., мВтНапиленіе з додатковою магнітною системою (15 см) Напилювання без додаткової магнітною системою (15 см) Напилювання без додаткової магнітною системою (13 см) h, мкмV, нм/сh, мкмV, нм /сh, мкмV,
Отримані дані представлені графічно у вигляді залежності V (P) (малюнок 31).
Аналізуючи графік можна зробити висновки, що швидкості напилення при різних режимах напилювання для різних систем лежать приблизно в одному діапазоні. Це говорить про те, що наяв...
