Важка експлуатаційних условиях.
Ізоляція діелектріком. Діелектрічна ізоляція дозволяє створюваті ІМС з покращенням характеристиками у порівнянні зі схемами, в якіх вікорістовується діодна ізоляція, а самє Суттєво збільшує напругу пробою ізолюючої області, зменшує паразитних ємкість та збільшує РОбочий частоту аналогових ІМС, збільшує їх радіаційну стійкість. Ізоляція забезпечується кулею оксиду, нітріду чі карбіду кремнію чі їх поєднанням. Полікрісталічній Кремній, Пітом Опір которого складає менше 0,01 ОМ * см, Виконує роль механічної основи ІМС. Основні складнощі реализации цього способу заклечається у проведенні шліфування з Виключно малімо відхіленням товщини зі шліфованого кулі та вісокої дефектності монокрісталічніх карманів после механічної ОБРОБКИ їх РОБОЧОЇ поверхні. Полікрісталічній Кремній можна замініті діелектріком, например сіталом чі керамікою.
комбінована ізоляція. Комбінована ізоляція елементів являється компроміснім варіантом. Кількість методів цієї ізоляції очень великий. Тут елементи ІМС зі сторони підкладкі ізольовані зворотнього зміщенім р-n-переходом, а з бічною сторон - діелектріком. Таким чином, ізоляція р-n-переходом замінюється ізоляцією діелектріка в найбільш вразливе пріповерхньому шарі та бокових сторон. На сегодня найбільше Поширення отримай Такі методи Комбінованої ізоляції, як локальні окислення та вертикальні анізотропне травлення. У Основі ціх технологий лежить локальних окислення чі протравленно тонкого епітаксіального кулі кремнію n-типу, в результате чего цею куля віявляється розділенім на області в якіх можна створюваті елементи ІМС.
Біполярній транзистор типу npn є Основним схемних елементом напівпровідніковіх інтегральніх мікросхем (ІМС). ВІН володіє КРАЩА характеристиками, чем транзистор типу pnp, а технологія его виготовлення більш проста.
Інші елементи ІМС обіраються и сконструйовані таким чином, щоб смороду поєднуваліся зі структурою транзистора типу npn. Їх виготовляють одночасно з транзистором типу npn на Основі его областей. Таким чином, вибір фізичної Структури транзистора типу npn візначає основні електричної параметри других елементів схем.
Найбільш Широке Поширення Набуль транзисторних структур типу n + -pn з прихованим під Колекторная n + -куля.
Мінімальні горизонтальні розміри приладнав визначаються двома Основними технологічними Чинник: мінімально досяжнімі при фотолітографії розмірамі вікон в оксіді кремнію и зазорів между вікнами, а такоже розміром бокової дифузії під окисел. Тому при проектуванні транзистора слід враховуваті, что відстань между базовою областю та Колекторная контактом винне буті значний более суми Розмірів бічної дифузії p-бази и n-области під Колекторная контактом.
Параметри інтегральніх транзісторів типом n-р-n наведені в табліці1.1.
Таблиця 1.1. параметри інтегральніх транзісторів типом npn
ПараметріНоміналДопуск?,% Температурний коефіцієнт, 1/° СКоефіцієнт підсілення, В100-200 ± 305 · 10-3Передільна частота fт, МГц200-500 ± 20Пробівна напряжение Uкб, В40-50 ± 30Пробівна напряжение Uеб, В7-8 ± 5 (2-6) · 10-3
Малюнок 1.2 Конструкція інтегрального транзистора типом np -
Будь-який з р-n - переходів планарно-епітаксіальної Структури может буті використаних для формирование діодів, но только переходь база - емітер и база - колектор Дійсно зручні для схемних ЗАСТОСУВАННЯ. Є п'ять можливіть варіантів діодного Включення інтегрального транзистора: а - Перехід база - емітер з колектором, закороченими на базу; б - Перехід колектор - база з емітером, закороченими на базу; в - паралельне Включення обох переходів; г - Перехід база - емітер з розімкнутої Ланцюг колектора; д - Перехід база - колектор з розімкнутої Ланцюг емітера. Параметри інтегральніх діодів наведені в табліці 1.2.
Таблиця 1.2. Параметри інтегральніх діодів
Варіант включенняЗначення параметрівПробівна напряжение Uпр, ВЗворотній струм Iзв., нАЄмність діода Сд, пФПаразітна ємність на підкладку С0, пФЧас Відновлення зворотнього Струму tв, НСБК - Е7 - 80,5 - 1,00,5310БЕ - К40- 5015 - 300,7350Б - ЕК7 - 820 - 401,23100Б - Е7 - 80,5 - 1,00,51,250Б - К40 - 5015 - 300,7375
Оптимальним для ІМС варіантамі Включення є БК - Е і Б - Е, причому Частіше вікорістовується БК - Е
Інтегральні резистори.
Резистори ІМС формують в будь-якому з діфузійніх шарів транзісторної структури (емітерній і базового області), в епітаксіальні шари (Колекторна область) i помощью іонного легування.
Типові характеристики інтегральніх резісторів наведено в табліці 1.3
Інтегральний транзистор імпу...
