льс мікросхема
Таблиця 1.3. параметри інтегральніх резісторів
Тип резістораТовщіна шару, мкмПоверхневій Опір? s, Ом/квДопуск,% TKR (? R), 1/° CПаразітна ємність, пФ/мм2Діфузійній конденсатор на Основі базової області2,5 - 3,5100 - 300 ± (5 - 20 ) ± (0,5 - 3)? 10-3150 - 350Пінч-резістор0,5 - 1,0 (2 - 15)? 103 ± 50 ± (1,5 - 3)? 10-31000 - 1500Діфузійній конденсатор на Основі емітерної області1,5 - 2,51 - 10 ± 20 ± (1 - 5)? 10-41000 - 1500Епітаксіальній Резістор7-1,0 (0,5 - 5)? 103 ± (15 - 25) ± (2 - 4)? 10-380 - 100Іонно-легованих резистор n-тіпу0,1- 0,2 (5 - 10)? 102 ± 50 ± (1,5 - 5)? 10-3200 - 350
Епітаксією назівають процес нарощування монокрісталічніх шарів на підкладку, при якому крісталографічна орієнтація нарощувального кулі повторює крісталографічну орієнтацію підкладкі. Насьогодні епітаксія вікорістовується для Отримання тонких робочих шарів однорідного напівпровідніка на підкладці. Хлоридно метод підстав на хімічній взаємодії парів тетрахлориду кремнію з водного. Ця Взаємодія супроводжується рядом хімічніх реакцій, Які проходять одна за іншою. ШВИДКІСТЬ зростанню епітаксільного кулі может буті обмежена кількістю підведеніх до поверхні підкладок молекул реагентів чі відведеніх діфузією від підкладкі продуктов хімічніх реакцій, чі швідкістю хімічніх реакцій.
Гіперептаксія Суттєво розшірює функціональні возможности мікроелектронніх устройств. При віборі парі матеріалів Підкладка - куля необходимо враховуваті параметри їх крісталічніх решіток, температури плавлення, коефіцієнт взаємної дифузії и т.д. У ВИРОБНИЦТВІ мікросхем гіперепітаксія розвівається у двох основних Напрямки: вирощування напівпровідніковіх гетеропереходів та нарощування напівпровідніковіх шарів на діелектрічніх підкладках.
Термічне окислення являється основним методом в планарній технології для Отримання маскуючі плівок на кремнію. На добро очіщеній поверхні кремнію при кімнатній температурі з являється плівка діоксиду кремнія завтовшки 10 ... 15А, того термічне оксідування в будь-якому разі ведеться при наявності на поверхні тонкої оксідної плівкі. На сегодня немає ні єдиної моделі термічного оксідування Напівпровідників согласно з усіма Експериментальна Даними. Процес Отримання термічного оксиду можна розподіліті на Чотири етапи: доставка окісніка до підкладок и адсорбція їх поверхністю, дифузія окісніка крізь плівку діоксіну кремнію до поверхності кремнію, хімічна Взаємодія окісніка з кремнієм, відалення продуктов реакцій. У якості окісніка Використовують очищень сухий чі Волога кисень.
2. ВИБІР ТА Обгрунтування засобими ПРОЕКТУВАННЯ ТА ТЕХНОЛОГІЇ ВИГОТОВЛЕННЯ ВИРОБИ
Працюючий над курсовим проектом, я звертаючись всі матеріали для проектування.
Для проектування інвертора позитивних імпульсів я звертаючись кремнієву підкладку
Всі елементи мікросхеми, Виготовляю на Основі біполярного транзистора, конструкцію которого я звертаючись в технічній літературі [2].
дифузія - це технологічний метод легування активних домішкамі ділянок напівпровіднікового матеріалу и формирование в ньом pn переходу.
При формуванні напівпровідніковіх мікросхем на біполярніх транзисторах проводитися декілька операцій дифузії: для создания прихованого кулі, розділова, базова и емітерна. Причем дифузія проводитися локально в задані області поверхні напівпровідніка. Вибір домішки для шкірного процесса дифузії провадиться з урахуванням таких крітеріїв: тип провідності, створюваній домішкою в напівпровідніку; максимальна розчінність домішки в напівпровідніку при температурі дифузії; коефіцієнт дифузії домішки в напівпровідніку; коефіцієнт дифузії домішки в захісній масці.
У зв'язку в ЦІМ при вікорістанні окісної маски на Кремній НЕ застосовуються Галій, індій, алюміній. Це обмеження знімається при вікорістанні нітрідної маски. Для діфузійніх шарів, Які формуються на початкових етапах виробництва мікросхем, щоб избежать перерозподілу продіфундойованої домішки на Наступний високотемпературна операціях, бажано! Застосування домішки з малімо коефіцієнтом дифузії. Саме тому для формирование ПРИХОВАНЕ шарів в кремнії Використовують арсен и сурма, а з ціх двох домішок предпочтение віддають Арсену, что має більшу розчінність и Забезпечує більшу електропровідність прихованого кулі.
дифузія может проводитись в одну або две Стадії. Одностадійна дифузія так само, здійснюється з НЕОБМЕЖЕНИЙ (невичерпний, нескінченного) джерела домішки, что наноситися на напівпровіднік Заздалегідь або в процессе дифузії и Забезпечує постійну скроню концентрацію домішки на границі розділу джерело - напівпровіднік.
У двостадійному процессе дифузії Першу стадію проводять з НЕОБМЕЖЕНИЙ джерела з метою введення в Поверхн...
