творень по каскадах в рази.
Коефіцієнт частотних спотворень на нижній частоті робочого діапазону визначається розділовими конденсаторами: і. Розподілимо спотворення між цими конденсаторами в рівних частинах:
(22)
(23)
Визначимо величину коригуючого конденсатора:
(24)
3. РОЗРОБКА інтегральної мікросхеми
. 1 Вибір навісних елементів і розрахунок конфігурації плівкових елементів
Вибір навісних елементів:
У розробляється інтегральної мікросхемі навісними елементами є транзистори VТ1 і VT2 з розмірами:
2П201А - 1:
Т370А - 1:
Резистор R1, який визначає вхідний опору пристрою вибираємо зі стандартного ряду ряд Е24, R3=330 кОм з розмірами: L=6мм, В=2,2 мм
Навісні елементи необхідно встановлюють не ближче 500мкм від плівкових елементів і не ближче 600мм від контактних майданчиків; мінімально допустима відстань між навісними елементами 300 мкм. Довжина дротяних висновків навісних елементів допускається від 600 мкм до 5 мм. Розрахунок плівкових резисторів:
Розрахунок максимальної розсіюваною потужність кожного резистора і вибір конфігурації і розміру.
, (25)
де Ii - струм, що протікає через резистор.
.
Далі визначимо коефіцієнт форми:
, (26)
де величина опору;
- питомий поверхневий опір.
Для виготовлення резисторів вибираємо сплав РС3001 з високою питомою поверхневим опором. Питомий опір сплаву, питома потужність розсіювання.
Підставивши в (29) числові значення, отримаємо:
Так як, то резистор буде прямокутної форми
Так як то резистор буде прямокутником, у якого довжина трохи менше ширини.
Розрахунок довжини резистора:
, (27)
де розрахункова потужність резистора;
питома потужність матеріалу.
*
* Округлення проводиться до десятих часток в більшу сторону.
Ширина резисторів визначається з формули:
(28)
* Округлення проводиться до десятих часток в більшу сторону.
Отримані значення довжини і ширини резисторів більше мінімальних:,.
Розрахунок плівкових конденсаторів:
Для плівкових конденсаторів в якості діелектрика вибираємо окис танталу, як має більшу питому ємність, в якості матеріалу обкладок - алюміній.
Розрахуємо площі конденсаторів:
(29)
Зважаючи великої площі елементів і, більш доцільним видається застосування навісних елементів з номіналами зі стандартного ряду Е24:
- К10-17, номінал 27 нФ, розміри:,.
- К53-26, номінал 4,7 мкФ, розміри:,.
Для провідників і контактних майданчиків вибираємо мідь з подслоем ванадію для поліпшення адгезії до підкладки. Товщину провідників і контактних майданчиків приймемо 0,5 - 1 мкм. Розміри контактних майданчиків 200х250 мкм і більше.
Тонкоплівкові елементи ГІС виконаємо шляхом термічного, катодного або іоно-плазмового напилення на діелектричну підкладку відповідного матеріалу через діелектричні маски.
Формування конфігурації тонкоплівкових елементів виконаємо із застосуванням методу фотолітографії.
.2 Розрахунок амплітудно-частотної характеристики
АЧХ в області нижніх частот:
Розрахунок відносного коефіцієнта посилення в області нижніх частот проведемо за формулою:
(30)
В якості в формулу (30) будемо підставляти величини, ,,,,,.
Результати розрахунків зведені в таблицю 2.
Таблиця 2
0,076-22,38 0,248-12,12 0,673-3,44 0,801-1,92 0,892-1,00 0,949-0,46 0,971-0,26
АЧХ в області верхніх частот: Визначимо відносний коефіцієнт підсилення на частотах: ,,,,
(31)
Для частоти:
Результати подальших розрахунків зведені в таблицю 3.
Таблиця 3.
0,969-0,28 0,890-1,01 0,699-3,11 0,364-8,77 0,192-14,34
Перевірка відповідності розрахункових і заданих значень і:
(32)
Наскрізна АЧХ пристрою зображена рис.5.
Рис. 5. Амплітудно-частотна характеристика
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ
1. Методичні вказівки. Новосибірськ. 2006.
. Єфімов І.Є., Горбунов Ю.І., Козир І.Я. Мікроелектроніка. Проектування, види мікросхем, нові напрямки.-М .: Вища школа, 1978.
. Степаненко І. П. Основи мікроелектроніки: навчальний посібник для вузів.- М .: сов. Радіо, 1980.
. Довідник під редак...
