Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Генератор синусоїдальної напруги

Реферат Генератор синусоїдальної напруги





В/мкс.

Залежність коефіцієнта підсилення від частоти наведена в додатку.

Для живлення ОУ встановлюємо стабілізатори на стабілітронах КС515 з

Uст = 15В при струмі стабілізації Iст = 5мА, в цьому випадку падіння напруги на резисторах R буде визначатися як UR = 22-15 = 7В

IR = Iоу + Iст = 10 +5 = 15мА

R = 7/15 = 466.6Ом

P = U * I = 7 * 15 * 10 ^ -3 = 0.105Вт


Розрахунок кінцевого каскаду











Вихідний каскад може бути виконаний за трансформаторної і бестрансформаторних схемою. Критерієм для прийняття рішення може служити співвідношення між залишковим напругою на транзисторі при максимальному струмі навантаження і амплітудою напруги на навантаженні.

При слід віддавати перевагу трансформаторному каскаду. p> Вибір транзисторів для вихідного каскаду підсилювача потужності виробляють за що розсіюється в ньому потужності, граничній частоті посилення і допустимим напруженням і струмів.

Для вихідного каскаду підсилювача, що працює з двома джерелами живлення, напруга кожного джерела вибирається з умови Ек = Uвих.макс + Uост

Ек = 20 +2 = 22В

Найбільша напруга на транзисторі в такому каскаді приблизно дорівнює подвоєному напрузі живлення: U кеюмакс = 2 * 22 = 44В

Найбільша потужність, що виділяється в кожному транзисторі вихідного каскаду для синусоїдального сигналу дорівнює

Визначаємо Rн

Ом. Тоді РК.МАКС == 7,85 Вт

Вибір транзисторів по струму

А

Частотні властивості вихідних транзисторів повинні відповідати необхідній смузі пропускання всього підсилювача. Гранична частота підсилювача

fгр. = 2 ... 4 Fмакс = 4 * 200000 = 800кГц

Вибираємо пару компліментарних транзисторів КТ 853-КТ829, які мають параметри Uкем = 45-100В, Ік = 8А, Рк = 60Вт,

Уточнюємо Uост = 1,5 В, тоді, Отже, варто віддати перевагу Бестрансформаторний каскаду.

За отриманою потужності розраховуємо площу радіатора по формулою

= 123,045 кв.см

де Кт-коефіцієнт тепловіддачі, що залежить від матеріалу, конструкції і способу обробки тепловідводу.

Для чорненого ребристого алюмінієвого тепловідведення зазвичай приймають Кт = 0,8 * 10 ^-3Вт/З * кв.см

tп-температура переходу, зазвичай її приймають на 5 ... 10 градусів нижче гранично допустимої

tc-температура середовища, максимальна температура за завданням

Rпп-тепловий опір перехід-корпус

Rкк-тепловий опір корпус-тепловідвід. p> Вибираємо Ікс = 0,05 Iк.макс = 0,08 А

Струм бази визначаємо таким чином Iб.макс = Iк.макс/= 2мА

Напруга база-емітер максимальне визначає по вхідних характеристикам транзісторов.Uбе = 1,7 В (див. додаток)

Номінальні значення резисторів базових ланцюгів вихідних транзисторів визначаємо за формулою: = 752Ом, де Uбе.откр = 1В

Потужність, розсіює на резистори Р == 3,61 мВт

Транзистори для предоконечного каскаду підсилювача потужності повинні мати наступні параметри:

Uке.макс = 32В, Iк.VT1.макс = Iб.VT3.макс = Iк.VT3.макс/= 2мА, РК.МАКС = Uке.макс * Iк.макс = 0,064 Вт

Цим вимогам відповідає пара компліментарних транзисторів КТ3102-КТ3107, які мають: Uке.макс = 40В, Ік = 100мА, Рк = 150мВт,В  p> Резистори R8 і R9 визначають коефіцієнт посилення, тому R9/(R8 + R9) = 1/К ІВК = 1/2

R9 = R8

Струм через резистори R9 і R8 повинен бути на порядок більше ніж струм бази вихідного транзистора IR8, R9> 10Iб.ок

U вих/(R8 + R9)> 10Iб.ок

Uвих/10Iб.ок> R8 + R9

1кОм> R8 + R9

R8 = R9 = 500Ом

Ланцюг зміщення розраховуємо з умови спокою каскаду

Ікс = 0,08 А

Iб.п.ок = Iко/= 100мА/750 = 130мкА, (Беремо струм спокою колектора приблизно рівним 100мА)

Струм бази спокою кінцевого каскаду є струмом спокою колектора предоконечних транзисторів, тобто Iк.VT1.п. = Iб.VT3 + IR7

IR7 = Uб.е.п.ок/R7 = 1.1/820 = 1.3мА (напруга база-емітер спокою кінцевого каскаду знаходимо за вхідним характеристикам транзистора VT3)

Iк.VT1.п. = 1,4 мА

Iб.VT1.п = Iк.п.VT1/= 1.4 * 0.001/60 = 23мкА

За вхідний характеристиці транзистора VT1 визначаємо напруга база-емітер спокою, яке рівне прямому падіння напруги на діодах.

Uпр. = Uбе.п. = 0,6 В (при Іпр.> 10Iб.п.VT1, Іпр. = 0,23 мА)

Підбираємо діод КД228, що має такі характеристики:

Iпр.макс = 7,5 А

Uпр.макс = 0,65 В

Розрахуємо резистори R5 і R6

IR5 = Iб.п.VT1 + Iд. = 0,25 мА

UR5 = Eк-Uб.е.п.VT1 = 22-0.6 = 21.4В

R5 = 21.4/0.25мА = 85,6 кОм

РR5 = 21.4 * 21.4/85600 = 0.00535Вт

Опір R1 визначає вхідний опір підсилювача потужності, і повинно складати близько 10кОм. Беремо R1 = 47кОм, тому що цей опір рекомендовано для більшо...


Назад | сторінка 3 з 4 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка модуля інформаційної системи для клінінгової компанії &Макс&
  • Реферат на тему: Планування показників якості випуску продукції як основа фінансової стійкос ...
  • Реферат на тему: Розрахунок каскаду попереднього підсилення на біполярному транзисторі
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду за схемою з загальним емітером на транзи ...
  • Реферат на тему: Графоаналитический розрахунок підсилювального каскаду на транзисторі