сті Е носії набувають швидкість u то рухливість їх u 0 дорівнює:
U 0 = u/E (2.5)
Рухливість можна пов'язати з провідністю s і концентрацією носіїв n . Для цього розділимо співвідношення j = neu на напруженість поля Е . Взявши до уваги, що ставлення j до Е дає s , а ставлення u до Е - рухливість, отримаємо:
s = neu 0 (2.6)
Вимірявши постійну Холла R і провідність s , можна за формулами (2.4) і (2.6) знайти концентрацію і рухливість носили струму у відповідному зразку. p> В В В В
j
В br/>
---------- 1 -----------
В В Рис 2.1
В
В
В В В В
E 0
В В
u
В В
В В В В В В
+ + + + + + + + + + + + +2 + + + + + + + + + + + + +
br/>
Рис 2.2
3. Ефект Холла в феромагнетиках. br/>
У феромагнетиках на електрони провідності діє не тільки зовнішнє, але і внутрішнє магнітне полі:
В = Н + 4pМ
Це призводить до особливого феромагнітна ефекту Холла. Експериментально виявлено, E x = (RB + R а M) j , де R - звичайний, a R a - незвичайний (аномальний) коефіцієнт Холла. Між R a і питомою електроопоом феромагнетиків встановлена ​​кореляція.
4. Ефект Холла в напівпровідниках. br/>
Ефект Холла спостерігається не тільки в металах, але і в напівпровідниках, причому за знаком ефекту можна судити про приналежність напівпровідника до n-або p-типу, так як в напівпровідниках n-типу знак носіїв струму негативний, напівпровідниках p-типу - позитивний. На рис. 4.1 зіставлений ефект Холла для зразків з позитивними і негативними носіями. Напрямок магнітної сили змінюється на протилежне як при зміні напрямку руху заряду, так і при зміні його знаку. Отже, при однаковому напрямку струму і поля магнітна сила, що діє на позитивні і негативні носії, має однаковий напрямок. Тому в разі позитивних носіїв потенціал верхньої (на малюнку) грані вище, ніж нижньої, а в разі негативних носіїв - нижче. Таким чином, визначивши знак холлівської різниці потенціалів, можна встановити знак носіїв струму. Цікаво, що у деяких металів знак U н відповідає позитивним носіям струму. Пояснення цієї аномалії дає квантова теорія. p>В В
В В
-----------
В В В В В
В В В В
B
В В В В В
-----------
В
+ + + + + + + + + + + + + + +
br/>
Рис 4.1
5. Ефект Холла на інерційних електронах в напівпровідниках.
Передбачений новий фізичний ефект, обумовлений дією сили Лоренца на електрони напівпровідника, що рухається прискорено. Отримано вираз для поля Холла і виконані оцінки холловского напруги для реальної двовимірної гетероструктури. Виконаний аналіз можливої вЂ‹вЂ‹схеми підсилення холловского поля на прикладі двох холлівських елементів, один з яких - генератор напруги, а другий - навантаження.
Відомий досвід Толмена і Стюарта, в якому спостерігався імпульс струму j , пов'язаний з ...
