Амплітудне значення змінної складової колекторного напруги:
= Eп - Uкеmin - О”Uке - Uе = 12 - 1 - 0,42 - 2,4 = 8,18 (В),
де Uкеmin = (0,5 Г· 1) В = 1В;
Uе ≈ (0,1 Г· 0,3) Eп = 0,2 ЄК = 0,2 в€™ 12 = 2,4 (В);
О”Uке ≈ (0,15 Г· 0,2) Uе = 0,175 в€™ 2,4 = 0,42 (В). br/>
Напруга колектор - емітер в режимі спокою:
В
Еквівалентнаопір колекторної навантаження:
В
Амплітуда змінної складової струму колектора:
.
Струм спокою колектора:
,
де Iкmin ≈ (0,5 Г· 1) мА = 1мА;
;
Тоді:
В
Максимальна потужність, що розсіюється на колекторі транзистора:
В
3.3 Розрахунок параметрів ланцюга стабілізації режиму і ланцюги зміщення
Коефіцієнт передачі струму емітера:
В
Опір емітерний ланцюга:
В
Приймаються Rе = 82 Ом
Опору Rб1 і Rб2 в ланцюзі дільника:
В
ПрінімаемRб1 = 3000Ом
В
Приймаються Rб2 = 750 Ом
де SФІК = (5 Г· 10) - коефіцієнт нестабільності фазоінверсного каскаду.
3.4 Розрахунок вхідного ланцюга каскаду
Вхідний опір транзистора в схемі із загальним емітером:
В
де rб = (100 Г· 200) Ом - опір базового шару;
В
де П†Т = 25,6 мВ для tв = 20 В° C;
m = 2 для кремнієвих транзисторів.
Для зменшення впливу розкиду параметрів транзистора на коефіцієнт посилення в емітерний ланцюг вводять опір Rе1, що не Заблокований конденсатором. Це опір зазвичай приймають у межах Rе1 = (1 Г· 5) rе. Це опір ми враховувати не будемо. p> Тоді: rв = 100Ом
В
В
Амплітудне значення вхідної напруги:
В
де
В
- вхідний опір каскаду;
В
Тоді:
В
Вхідна потужність каскаду:
В
Амплітудне значення вхідного струму:
В
Коефіцієнт посилення каскаду по напрузі:
В
4 Розрахунок вхідного каскаду
Вибираємо транзистор КТ3102Е з наступними параметрами:
Uкедоп = 50 В Tkдоп = 85 В° С
Pkдоп = 0,25 Вт Ik0 = 10 мА
h21е = 400 Uкенас = 0,7 В
Струм спокою емітера знаходимо за графіком залежно h21е = Ж’ (Iе) з довідника [3]:
I0е = 12 мА.
Напруга каскаду беремо рівним ЄК = 0,9 Еn = 0,9 в€™ 12 = 10,8 В за додаткового падіння напруги на низькочастотному розв'язує фільтра.
Струм спокою бази:
В
Постійна складова струму дільника:
В
Опір емітерний ланцюга:
В
Вхідний опір транзистора в схемі із загальним емітером:
В
де
В
- опір базового шару;
де Uбе = 0,619 У знаходимо за вхідним характеристикам при I0б = 0,2 мА і
Uке = 5 В з довідника [3].
Тоді:
(Oм).
Напруга в середній точці базового подільника в режимі спокою:
U0д = URе + Uбе = 0,3 в€™ 10,8 + 0,619 = 3,86 (В).
Опору резисторів R1 і R2 дільника:
В
Приймаються R1 = 26 кОм; R2 = 39 кОм.
Вхідний опір каскаду з загальним емітером:
.
Оскільки вхідний опір каскаду з загальним емітером менше внутрішнього опору джерела сигналу, то вхідному каскаді буде використана схема з загальним колектором.
Струм спокою бази:
В
Постійна складова струму дільника:
В
Вхідний опір транзистора в схемі із загальним емітером:
В
де
В
де Uбе = 0,619 У знаходимо за вхідним характеристикам при I0б = 0,2 мА і
Uке = 5 В з довідника [3].
Тоді:
В
Напруга в середній точці базового подільника в режимі спокою:
U0д = URе + Uбе = 0,3 В· 10,8 + 0,619 = 3,86 (В).
Опору резисторів R1 і R2 дільника:
В
Приймаються R1 = 26 кОм; R2 = 39 кОм.
Вхідний опір каскаду з загальним колектором:
В
Так як вхідний опір каскаду з загальним колектором більше опору генератора, то схема із загальним колектором є придатною для її використання у вхідному каскаді посилення.
Розрахунок коефіцієнта посилення по напрузі для вхідного каскаду здійснюється за формулою:
В
Список літератури
1. Методичні вказівки до виконання курсового проекту з курсу "Аналогова схемотехніка" за темою "Проектування підсилювача низької частоти". p> 2. Забродін Ю. С. Промислова електроніка 1982р. p> 3. Напівпровідникові прилади: транзистори. Довідник: під редакцією М. М. Горюнова. - М. Енергоатоміздат. 1983 - 904с. p> 4. Хоровіц П., Хілл У. Мистецтво схемотехніки, М. Світ, 1983
5. Резистори: Довідник. Під загальною редакцією І. І. Четверткова. p> 6. Мала...
