корпусу забезпечують тривалу роботу в умовах підвищеної відносної вологості (До 98%) і в діапазоні температур -60 ... +125 0 С, тому вони найбільш рекомендовані для герметизації гібридних мікросхем.
Підкладка гібридних інтегральних мікросхем є діелектричним і механічним підставою для розташування плівкових елементів і компонентів, а також служить для відводу тепла. Матеріал підкладки повинен володіти:
В· високою питомою електричним опором, никой діелектричної проникністю;
В· високої механічною міцністю в малих товщинах;
В· високим коефіцієнтом теплопровідності для ефективної передачі теплоти від тепловиділяючих елементів і компонентів корпусу;
В· високої фізичної та хімічною стійкістю до дії високої температури;
В· стійкістю до впливу хімічних реактивів;
В· здатність до хорошою механічній обробці.
Для виготовлення підкладок в основному використовують: скло, кераміку, ситалл. Скло та ситалл легко ріжеться алмазним різцем. Різка керамічних підкладок на виробництві не бажана, тому їх відразу виготовляють потрібних розмірів.
Найбільш перспективними для гібридних великих інтегральних схем і микросборок є металеві підкладки, поверхня яких покривається відносно тонким (40 - 60 мкм) шаром діелектрика. Для цієї мети використовують алюмінієві платини з анодованою поверхнею, сталеві пластини, покриті склом або поліамідним лаком. p> Резистори є самими поширеними елементами гібридних інтегральних мікросхем. Плівкові резистори формуються на діелектричній підкладці у вигляді резистивних смуг різної конфігурації, що закінчуються низькоомними контактними переходами і висновками. У гібридних інтегральних мікросхемах використовуються тонкоплівкові (d2 мкм) і товстоплівкові (d2мкм) резистори різної конфігурації з простою прямолінійною і складною формою. p> Найбільш поширеною є конструкція резисторів прямолінійної форми рис.4.3, як найбільш проста в конструктивному і технологічному рішенні. Прямолінійна форма забезпечує більшу чіткість контуру, високу механічну жорсткість масок, простішу топологію, тому краще віддавати перевагу цьому типу резисторів. Якщо розрахункова довжина резистора виявляється великий і не може бути розміщена на підкладці в одну лінію, то його виконують складної форми у вигляді меандру ріс.4.3б. Резистори типу В«меандрВ» застосовують для отримання високоомних резисторів. Для виготовлення низькоомних опорів, застосовують резистори типу квадрат ріс.4.3в.
В
рис.4.3
Матеріали, застосовувані для виготовлення плівкових резисторів повинні забезпечувати можливість отримання широкого діапазону стабільних у часі опорів, корозійної стійкістю, адгезії, технологічності. Для виготовлення плівкових резисторів використовують різні матеріали: чисті метали і сплави з високим питомим електричним опором, а також спеціальні резистивні матеріали - кермети, які складаються з частинок металу і діелектрика. При виборі матеріалу резистивної плівки рекомендується виходити з того, що всі резистори, розташовані на одній платі, становили один шар і мали однакове питомий опір. p> Зіставляючи фізичні властивості плівок з технічними вимогами до параметрів резистора, вибирають відповідний матеріал. При цьому керуються такими міркуваннями: необхідно, щоб резистор обіймав, можливо, меншу площу, а що розвивається в ньому температура не повинна порушувати стабільність параметрів, прискорювати процеси старіння. По можливості намагаються застосувати більш товсті плівки, тому що у дуже тонких погіршується стабільність опору. p> Розрахунок резисторів
Розрахунок потужності резисторів
З сказаних вище міркувань вибираємо Кермет К-20 С, у якого є такі характеристики: діапазон опорів 100 ... 30000 Ом, Питомий опір 1000 ... 3000 Ом /?, Питома потужність 20 мВт/мм 2 , ТКС M a r = 0,5 * 10 -4 , d a r = 0,05 * 10 -4 , коефіцієнт старіння M КСТ = 0,0 год -1 , d КСТ = 0.6 * 10 -6 . p> Так само є конструкційні та технологічні Обмеження: мінімальна довга резистора l 0 = 0.1 мм, мінімальна ширина резистора b 0 = 0.05 мм, мінімальна довга контактного переходу l до = 0.1 мм , мінімальна відстань між краями перекривають один одного плівкових елементів h = 0.05 мм. p> Для подальшого розрахунку резисторів необхідно знати їх рассеиваемую потужність. Для цього всі елементи в схемі, крім резисторів замінимо еквівалентами даних елементів, крім діодів, враховуючи їх внутрішній опір їх PN - переходу, тобто електрична схема після заміни елементів буде виглядати наступним чином Рис 5.1:
В
Рис.5.1
Необхідні для розрахунку номінали R 1 = 6,5 кОм, R 2 = R 8 = 120Ом, R VD 1 = R VD 2 = 486 Ом, допустиме ві...
