an align="justify"> 10-3 = 2;
R6: Kф = 1,5 Г— 10 -3/1 Г— 10-3 = 1,5
По таблиці 3.15 [1] визначаємо технологічні обмеження:
D l = D b = 0,01 мм
Розрахунок резисторів. (1? Кф? 10)
bрасч Ві max {bтехн, bточн, bрас}
bрасч = 0,1 мм; bточн Ві ( D b + D l/Kф)/ g до, ф доп;
bрасчR (1) = 0,15 мм;
Мінімальна ширина резистора з точки зору потужності, що розсіюється:
В
р = 0,01 мм, приймаємо 0,5 мм.
Розрахункова довжина резисторів визначається зі співвідношення:
розр = b * Кф;
розр R1, 4 = 2 мм;
lрасч R2 = 2,5 мм.
lрасч R3 = 0,9 мм.
lрасч R5 = 1 мм.
lрасч R6 = 0,75 мм.
Повна довжина резистора з урахуванням перекриття контактних майданчиків:
повн = l +2 e; e = 0,1;
повн R1, 4 = 2,2 мм;
lполн R2 = 2,7 мм.
lполн R3 = 1,1 мм.
lполн R5 = 1,2 мм
lполн R6 = 0,95 мм
З точки зору конструкторської оптимізації вироби, при виготовленні тонкоплівкових резисторів можна використовувати пропорційне збільшення або зменшення даних елементів (із збереженням коефіцієнта форми).
.2 Розрахунок тонкоплівкових конденсаторів
С1 = 560 пФ; Up = 5B; fраб = 1 кГц;
Матеріал для напилення діелектрика вибираємо з таблиці виходячи з Up: моноокись германію (ГОСТ 19062-74), для напилення облаток: алюміній А99 (ГОСТ 11069-64).
rS = 0,2 Ом /; С0 = 1500 пФ/см2.
Діелектрична проникність при f = 1 кГц e = 11 Вё 12.
Тангенс діелектричних втрат при f = 1 кГц tg d = 0,005 Вё 0,007.
Електрична проникність Eпр = 1 Г— 106 В/см.
Робоча частота, не більше fраб = 300 МГц.
t = -60 Вё +125 В° C; ТКС = 3 Г— 10 -4 1/В° C.
Визначаємо min товщину діелектрика dmin і питому ємність C0V: dmin Ві K3 Г— Up/Eпр. K3 - коефіцієнт запасу електричної міцності (для плівкових конденсаторів K3 = 3). p> = 3 Г— 5/1 Г— 106 = 0,15 Г— 10-4см. C0V = 0,0885 Г— e/d = 0,0885 Г— 12/0, 15 Г— 10-4 = 708пФ/мм2. br/>
Температурна похибка ємності:
gс + = AС (Tmax-20 В° C);
gс + = 3 Г— 10-4 (125-20) Г— 100 = 3,15%
Допустима похибка активної площі конденсатора: gSдоп = gс-gс0-gс +-Gс старий.
gс = 30%; ...
