нденсації з утворенням тонкоплівкових шарів на поверхні, що покривається.
Таким чином, при нанесенні тонких плівок одночасно протікають три основних процеси: генерація направленого потоку частинок осаждаемого речовини; проліт часток у розрядженому (вакуумному) просторі від їх джерела до оброблюваної поверхні; осадження (конденсація) часток на поверхні з утворенням тонкоплівкових шарів. [4]
Для розуміння фізичних явищ, що відбуваються при нанесенні тонких плівок у вакуумі, необхідно знати, що процес зростання плівки на підкладці складається з двох етапів: початкового і завершального. Розглянемо, як взаємодіють наносяться частинки у вакуумному просторі і на підкладці (малюнок 1). p align="justify"> Покинувши поверхню джерела частинки 1 речовини рухаються через вакуумне (розріджений) простір з великими швидкостями (порядку сотень і навіть тисяч метрів в секунду) до підкладки 6 і досягають її поверхні, віддаючи їй при зіткненні частину своєї енергії ( наприклад, частка 8). Частка енергії, що передається тим менше, чим вище температура підкладки. Зберігши при цьому певний надлишок енергії, частка 8 речовини здатна переміщатися (мігрувати) по поверхні підкладки, як це показано ламаними стрілками 7. <В
- частки у вакуумному просторі, 2 - дуплет частинок у вакуумному просторі; 3 - центр кристалізації, 4 - адсорбований дуплет частинок; 5 - зростання кристаліта за рахунок мігруючих частинок; 7 - поверхнева міграція частинок; 8 - адсорбована частинка.
Рисунок 1 - Взаємодія загрожених частинок з підкладкою.
При міграції по поверхні частка поступово втрачає надлишок своєї енергії, прагнучи до теплового рівноваги з підкладкою, і при цьому може відбутися наступне. Якщо на шляху руху частинка втратить надлишок своєї енергії, вона фіксується на підкладці (конденсується). Зустрівши ж на шляху руху іншу мігруючу частку (або групу частинок), вона вступить з нею в сильну зв'язок (металеву), створивши адсорбований дуплет 4. При досить великому об'єднанні такі частинки повністю втрачають здатність мігрувати і фіксуються на підкладці, стаючи центром кристалізації 3. p align="justify"> Навколо окремих центрів кристалізації відбувається зростання кристалітів, які згодом зростаються і утворюють суцільну плівку. Зростання кристалітів відбувається як за рахунок мігруючих по поверхні частинок 5, так і в результаті безпосереднього осадження частинок 1 на поверхню кристалітів. Можливо також утворення дуплетів 2 у вакуумному просторі при зіткненні двох частинок, які в кінцевому підсумку адсорбуються на підкладці. p align="justify"> Різні забруднення у вигляді пилинок і слідів органічних речовин істотно спотворюють процес росту плівок і погіршують їх якість.
Освітою суцільної плівки закінчується початковий етап процесу. Так як з цього моменту якість поверхні підкладки перестає впливати на властивості наносимой...
