я розрахунку полів залишкової поляризації та залишкової деформації в сильних електричних полях.
Необхідність отримання достовірної інформації про мікроскопічному пристрої дефекту робить актуальною завдання пошуку відповідних методів обробки макроскопічних характеристик, зокрема температурної залежності концентрації основних носіїв (ТЗКН) у напівпровіднику при різних ступенях компенсації у відповідних температурних інтервалах. Один з таких методів був запропонований в роботі [1], розвиток його одержало в роботах [2-7]. Основна ідея методу полягає в застосуванні диференціальної обробки ТЗКН в умовах різного темпу зміни концентрації вільних носіїв n та енергії Фермі E F з температурою T. Було відмічено що, якщо електронні рівні дефектів розташовані досить далеко один від одного, то функція розмірності концентрації
Y (E F ) в‰Ў k B T (dn/dE F )
(k B - постійна Больцмана) від енергії Фермі має вигляд спектральних смуг. За положенню максимумів цієї функції на осі E F і їх величині визначають енергетичний спектр у забороненій зоні і концентрацію дефектів, відповідно. Порівнюючи напівширину смуги з температурою, при якій спостерігається максимум, як було показано в роботах [3-4], можна визначити, чи володіє даний дефект U - -властивостями.
На практиці, використовуючи експериментальні дані по ТЗКН - n (T), будують функцію Y (E F ) за формулою:
Y (E F ) = k B [(T i +1 + T i )/2] [n (T i +1 ) - n (T i )]/[E F (T i +1 ) - E F (T i )],
де n (T i ) - експериментальне значення концентрації вільних носіїв при температурі T i ; - енергія Фермі, розрахована на основі експериментальних даних по n (T i ); N C (T i ) - густина станів у зоні провідності при температурі T i . Вибір кроку {T i +1 , T i } визначається експериментальної точністю двох різних значень n.
Даний метод використовувався зокрема для визначення параметрів таких дефектів як вакансії в кремнії [3-4], кисневі термодоноров в Si [7-8] і Ge [9], а також водородсодержащие донори в кремнії [10]. p> Мета нашої роботи полягає у виявленні (виявленні) умов, при яких виникають труднощі інтерпретації даних, отриманих методом диференціального аналізу ТЗКН, які можуть призводити до помилкових висновків про утворення нових дефектів при зовнішніх впливах.
Як показали результати наших досліджень, застосування методу диференціального аналізу ТЗКН для визначення параметрів амфотерних центрів може призвести до особливостей при визначенні енергії акцепторного стану в забороненій зоні напівпровідника для амфотерних дефектів і їх концентрації в різних умовах компенсації.
Результати ч...
