исельного розрахунку Y (E F ) для амфотерного центру з прямим порядком проходження електронних рівнів (тобто E a d , E a і E d - енергія акцепторного стану і енергія донорного стану амфотерних центрів в забороненій зоні напівпровідника, відповідно) показали, що у разі некомпенсованого напівпровідника буде спостерігатися максимум характеристики Y (E F ), пов'язаний тільки з донорним рівнем амфотерного центру. При незначному рівні компенсації (тобто концентрація дрібних донорів N d на багато менше концентрації амфотерних центрів N) можна спостерігати додатковий пік, який пов'язаний з акцепторним станом дефекту, але при цьому положення максимуму Y (E F )-характеристики не відповідає енергії іонізації даного акцепторного рівня і зміщена в область більших енергій. Така поведінка характеристики Y (E F ) пов'язана з тим, що рівень Фермі в даних умов не перетинає електронний рівень акцепторного стану амфотерного центру з зміною температури. Слід зазначити, що концентрація акцепторних станів, визначена методом диференціального аналізу ТЗКН при незначному рівні компенсації відповідає концентрації компенсуючих дрібних донорних центрів і суттєво відрізняється від концентрації донорних станів амфотерних центрів, певною тим же способом. Так що, представляється скрутним пов'язувати отримані результати з одним і тим же дефектом.
У разі, коли рівень компенсації близький до 0.5 (тобто 2N d ≈ N), то в певному інтервалі енергій E F , де функція Y (E F ) визначається акцепторним станом амфотерного центру, буде спостерігатися полюс. У цих умовах неможливо визначити концентрацію акцепторних станів по диференціальному аналізу ТЗКН, але можливо визначення енергії акцепторного рівня в забороненій зоні. Наявність полюса у Y (E F )-характеристики пов'язано зі стабілізацією (піннігом) рівня Фермі на акцепторном стані амфотерного центру в даних умовах компенсації, тобто dE F /dT = 0 у відповідній області температур.
Тільки у випадку, коли концентрація компенсуючих дрібних донорів дорівнює або більше (порівнянна) концентрації амфотерних центрів, то параметри амфотерних дефектів (тобто концентрація і електронний енергетичний спектр у забороненій зоні напівпровідника) визначені за даною методикою будуть відповідати реальним параметрам амфотерних центрів:
Y max (E F = E F max ) = N t /4; E F max = E a і E F max = E d ; ОґE F ≈ 3.5k B T max .
При визначенні параметрів амфотерних центрів з негативною кореляційної енергією (тобто E a > E d ) по Y (E F )-характеристиці буде також спостерігатися ряд особливостей: у відсут...
