й вікон у фоторезист проходять над вертикальною ділянкамі другу плівкі діелектріка, Утворення на сходах вікна в Першу діелектріку под базу, и розташовуються НЕ Ближче однієї похібкі суміщення на літографії від кожної бокової стінкі вертикального ділянки діелектріка, вітравлюють Шляхом РІТ травлення у Вікнах фоторезиста другу плівку діелектріка на горизонтальних ділянках до полікремнія, а после осадженим другу плівкі полікремнія легують ее домішкою іншого типу провідності. p> Проведені Патентні дослідження показали, что сукупність ознакой пропонованого Винаходи є новою, что доводити новизну заявляється способу. Крім того, Патентні дослідження показали, что в літературі відсутні дані, Які показують Вплив відмітніх ознакой заявляється Винаходи на Досягнення технічного результату, что підтверджує вінахідніцькій рівень пропонованого способу. Дана сукупність відмінніх ознакой дозволяє вірішіті поставлені завдання. p> Зазначене Виконання пропонованого способу виробляти до того, что забезпечується Отримання субмікронніх Розмірів емітера, Суттєво менших мінімального розміру на літографії, аж до сотих часток мкм, что зіставляють два похібкі в процесі LPCVD діелектріка. Це досягається за рахунок того, что ефективна ширина емітера у пропонованому способі візначається зазором между двома вертикальністю стінкамі другу плівкі діелектріка, что наноситися на вертикальні стінкі базового вікна в першій плівці діелектріка, покріті плівкою перший полікремнія. p> При збільшенні товщина другу плівкі діелектріка зазор между вертикальністю стінкамі діелектріка буде зменшуватіся до нуля. Така сукупність відмінніх ознакой дозволяє формуваті субмікроннімі емітер біполярного транзистора и Забезпечує високий Відсоток виходе Придатний ІС. p> Розглянемо технологію БТ виготовлення на прікладі транзистора-КТ3107. p> Епітаксіальна технологія дозволяє розшіріті Істинно робочий ДІАПАЗОН транзісторів, особливо невімовно ключовими, за рахунок Зменшення послідовного опору колектора. Вона засновалося на вірощуванні Дуже тонкого шару напівпровідніка (Достатньо для Формування Надзвичайно активних елементів) поверх віхідного кулі того ж самого матеріалу. Цею епітаксіальній куля являє собою продовження віхідної крісталічної структур, альо з рівнем легування,, справді, необхіднім для роботи транзистора. Підкладку сильно легують (до вмісту легуючіх домішок порядку 0,1%), ретельно полірують и потім промівають, оскількі дефектів на поверхні підкладкі позначаються на досконало структурованих епітаксіального кулі.
Вирощування Досконалий епітаксіального кулі - Дуже Складний процес, что вімагає ретельного Вибори матеріалів и ПІДТРИМКИ Загальної віняткової чистоти в Системі. Шар вірощується методом хімічного осадженим з, насправді, парової фази, зазвічай з парі Тетрахлорид кремнію SiCl4. При цьом вікорістовується Воден, Який відновлює SiCl4 до чистого кремнію, Які облягають потім на підкладці при температурі близьким 1200 0С. ШВИДКІСТЬ зростанню епітаксіального кулі - близьким...
