ї логічного елемента на зміну сигналів на входах.
Показником швидкодії логічних мікросхем є середній час затримки проходження сигналів через елемент.
Логічні мікросхеми поділяються на надшвидкодіючі, швидкодіючі, середнього швидкодії і низької швидкодії.
Істотним параметром логічних елементів є так само споживана потужність від джерела живлення залежно від типу потужність, споживана логічної мікросхемою, становить 250 мВт - 1 мкВт. Її зазвичай визначають за середньої потужності, споживаної елементом у стані <<1>> і <<0>>. Споживана потужність пов'язана з швидкодією мікросхем. Зокрема, мікросхеми, що споживають велику потужність, відрізняються, як правило, і високою швидкодією. p align="justify"> Перешкодостійкість характеризує міру несприйнятністю логічних елементів до зміни своїх станів під впливом напруги перешкод. Перешкоди, що діють на вході логічної мікросхеми, поділяються на статичні і імпульсні. Статичними називають перешкоди, напруги яких залишається постійним протягом часу, що значно перевищують діяльність перехідних процесів у схемі. Причиною їх появи є падіння напруги в провідниках, що з'єднують мікросхеми в пристрої. Статична завадостійкість характеризується максимальною напругою перешкоди, яка може бути подана на вхід логічного елемента не викликаючи при цьому його помилкового спрацьовування. p align="justify"> Імпульсні перешкоди обумовлюються різними наведеннями від сусідніх працюючих установок. За аналогією зі статичної перешкодостійкістю, імпульсної перешкодостійкістю характеризується напругою імпульсу, величина якого залежить від форми і тривалості імпульсу. p align="justify"> До дії перешкод найбільш чутливі мікросхеми, що мають низький перепад логічних рівнів. На завадостійкість впливає вид схеми, режим роботи транзисторів, напруга джерел живлення і т.д. і т.п.
Крім логічних елементів на біполярних транзисторах промисловістю випускаються так само логічні елементи на польових транзисторах. До числа їх переваг відносяться низька споживана потужність (менше 1 мкВт), спрощена технологія отримання висока навантажувальна здатність. br/>
1 Розрахунок топології логічного елемента
Для побудови логічного елемента 2І виберемотранзистор малої потужності транзистор КТ315А з наступними характеристиками і параметрами:
В
Рисунок 1 - Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від струму емітера і вхідна характеристика транзистора КТ315А
Таблиця 1 - Електричні параметри транзистора КТ315А
I КБО , мкАI Кmax , МКАС до , <...
