транзистор EPA160A - 100P, який здатний віддати на частоті 12 ГГц потужність 31 дБм.
2.2 Складання моделі транзистора
Зараз при проектуванні НВЧ пристроїв широко користуються засобами комп'ютерного моделювання. Комп'ютерне моделювання дає розробнику можливість на етапі проектування врахувати істотно більше ефектів у порівнянні з простим інженерним розрахунком і тому дозволяє отримати більш близький до практики результат (більш адекватно оцінити робочі параметри проектованого пристрою).
Успіх проектування визначається не тільки закладеними у програмі методами розрахунку електричних ланцюгів, а й наявністю в ній моделей елементів НВЧ пристроїв (транзисторів, діодів, RL C-елементів, відрізків ліній передачі і їх неоднорідностей).
При проектуванні напівпровідникових підсилювачів, автогенераторів, умножителей частоти та інших нелінійних пристроїв важливо розташовувати адекватної комп'ютерною моделлю використовуваного нелінійного елемента (транзистора, діода і пр.). Зазвичай фірми виробники напівпровідникових приладів пропонують такі моделі своїх виробів.
Для кожного типу напівпровідникових елементів існує безліч різних типів моделей, що розрізняються кількістю врахованих фізичних ефектів, а, отже, областю застосування і ступенем адекватності. З цієї причини потрібно мати чітке уявлення про використовувану моделі, щоб коректно застосовувати її у своїх розрахунках.
Сучасні програми мають великим набором бібліотек електронних компонентів. Але трапляється і так, що потрібного елемента в бібліотеці немає. Тоді модель елемента доводитися формувати вручну, вносячи параметри, що надаються виробником, в наявну в програмі базову модель елемента. Саме такий випадок буде розглянутий нами нижче.
Формування комп'ютерної моделі транзистора.
При проектуванні підсилювача в курсовому проекті пропонується використовувати транзистори фірми Excelics
Після вибору типу транзистора, необхідно створити його комп'ютерну модель. Модель включає себе нелінійну модель безкорпусного транзистора (кристала) і еквівалентну схему, яка відображатиме паразитні параметри корпусу. Схема моделі зображена на малюнку Х, а номінали елементів еквівалентної схеми для різних типів корпусів зведені в таблицю.
Рис. Х Схема електричної моделі транзистора.
Таблиця. Параметри еквівалентної схеми для різних корпусів.
ПараметрТіп корпуса70100P180FCP083CP1, пФ0, 0380,050,780,52 CP2, пФ0, 130,20,570 LP1, нГн0, 250,50,610,56 RP, Ом0, 70,800 CP3, пФ0, 006000CP4, пФ0000LPG, нГн0, 30,140,340,06 LPD , нГн0, 20,10,20,2 LPS, нГн0, 02800,0170,018 LP2, нГн0, 0650,0300
Приклад: Розглянемо приклад створення моделі транзистора EPA160A - 100P в програмі AWR MicroWave Office (MWO). З основами роботи в даній програмі можна ознайомитись в [].
Відкриємо проект в програмі MWO.
Створимо нову схему, яку назвемо EPA160A100P.
Намалюємо схему моделі транзистора з урахуванням паразитних параметрів корпусу (мал.). Для цього перетягнемо із закладки бібліотек Elements на схему елементи і з'єднаємо їх, як це показано на малюнку.
