Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Підвищення ефективності витрат на якість в кристалічному виробництві транзисторів

Реферат Підвищення ефективності витрат на якість в кристалічному виробництві транзисторів





n="justify"> аналіз вимог до якості продукції методом і засобом його забезпечення;

аналіз витрат на якість та їх доцільність;

оцінка ефективності заходів з удосконалення якості.


1. Аналіз вимог до якості продукції методом і засобом його забезпечення


.1 Аналіз вимог зовнішнього середовища


ВАТ «НВП« Завод Іскра »є одним з провідних виробників і постачальників елементної бази для підприємств-виробників радіоелектронної апаратури, обчислювальної техніки, засобів зв'язку та апаратури спеціального призначення.

За останні п'ять років на заводі проведені значні роботи з реконструкції діючого виробництва, що дозволило створити компактне сучасне підприємство з виробництва виробів електронної техніки.

На підприємстві виділені наступні бізнес-напрямки:

виробництво напівпровідникових приладів (потужні біполярні і польові транзистори, діоди і модулі на їх основі, транзисторні та тиристорні оптопари);

виробництво медичних електродів коронного розряду і газорозрядних електродів;

виконання НДДКР в інтересах підприємств ВАТ «Концерн ППО« Алмаз-Антей »та Міністерства оборони Російської Федерації.

Підприємство стабільно розвивається, активно займає свою нішу на складному ринку електроніки.

Підприємство ВАТ «НВП« Завод Іскра »при виробництві напівпровідникових приладів користується стратегією фіксованого якості, тобто випускає продукцію відповідно до вимог міжнародних стандартів ISO 9000 та ISO 9001, ГОСТ, керівних документів, галузевих стандартів і т.д. Перелік державних, державних військових стандартів, запроваджених на ВАТ «НВП« Завод Іскра »представлений у Додатку 1.

Кристали напівпровідникових приладів чутливі до змін мікроклімату. Вимоги до електронної гігієну представлені в ОСТ 1114.3302. Вироби електронної техніки. Загальні технічні вимоги електронної гігієни до чистих приміщень, [17].

Основними державними стандартами при виробництві кристалів напівпровідникових приладів є:

ГОСТ РВ 20.39.414.1-97. КСОТТ. Вироби електронної техніки, квантової електроніки та електротехнічні військового призначення. Класифікація за умовами застосування і вимоги стійкості до зовнішніх чинників, що, [2].

ГОСТ РВ 20.57.414-97. КСКК. Вироби електронної техніки, квантової електроніки та електротехнічні військового призначення. Методи оцінювання відповідності вимогам до надійності, [3].

ГОСТ РВ 20.57.416-98. КСКК. Вироби електронної техніки, квантової електроніки та електротехнічні військового призначення, [4].

ГОСТ 17466-80. Транзистори біполярні і польові. Основні параметри, [11].

ГОСТ 19095-73. Транзистори польові. Електричні параметри. Терміни, визначення та літерні позначення, [12].

ГОСТ 20398.6-74. Транзистори польові. Метод вимірювання струму витоку затвора, [13].

ГОСТ 20398.7-74. Транзистори польові. Метод вимірювання порогового напруги насичення і напруги відсічення, [14].

- ГОСТ 20398.8-74. Транзистори польові. Метод вимірювання початкового струму стоку, [...


Назад | сторінка 3 з 28 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка маршрутної технології виготовлення деталей &Пластина (SNUN 090304) ...
  • Реферат на тему: Польові транзистори та їх застосування
  • Реферат на тему: Метрологічне забезпечення контролю якості при ВИРОБНИЦТВІ прокату Сталевого ...
  • Реферат на тему: Польові транзистори
  • Реферат на тему: Замикаються тиристори й польові транзистори