исни з Утворення груп, что складаються з меншими числа атомів. У результаті вінікають донорні Рівні, что лежати на 0,03-0,06 еВ нижчих краю зони провідності.
1.3 Фазові Перетворення в напівпровідніковому кремнії
Для кремнію характерним є високе Значення пітомої теплота плавлення и Збільшення щільності при переході з твердого стану в Рідкий [5,6]. Ентропія плавлення кремнію істотно Вище ентропії плавлення чистого металів, тому в ее величину квартальна внесок вносити процес, пов" язаний з делокалізацією електронів при переході з твердого стану в Рідкий. Електронна ськладової пов »язана Зі зміною типу хімічного зв'язку при плавленні, Переважно, з ковалентного на металевий, что супроводжується значний збільшенням концентрації вільніх електронів [6].
Перехід з твердого стану в Рідкий у Речовини, что сильно металізуються при плавленні, супроводжується Руйнування просторової системи гомеополярной sp 3-гібрідніх зв'язків, відрівом чотірьох валентність електронів и переходом їх у Вільний стан, істотнімі змінамі ближнього порядку та характеру колівального спектру атомів [7, 8, 9].
Таким чином, Відмінною особлівістю ФП 1-го роду кремнію (мова Йде про плавлення и крісталізацію) є зміна кількості вільніх електронів и істотній внесок Електронної складової в данє Перетворення. Ймовірно, алотропічне Перетворення при зміні температури и Тиску такоже мо супроводжуватіся зміною кількості вільніх електронів.
Відомості про ФП в твердому кремнії типом поліморфного вельми суперечліві. Згадка про поліморфізм крісталічного кремнію можна зустріті в широко відоміх монографіях [7, 8]. Поліморфні щільноупаковані металізовані модіфікації кремнію утворюються при Високого Тиску. При лещата, рівному 12 ГПа и температурі 20 ° С БУВ встановлений фазовий Перехід SiI ® SiII методом електроопору та рентгенографічно [8]. Спостерігається значний залежність повнотіла переходу SiI ® SiII від прісутності зсувніх компонент НАВАНТАЖЕННЯ, лещата и годині вітрімкі теплоход под лещатах. У зв'язку з ЦІМ Перехід розтягнутій на 2-3 ГПа. Фаза SiII має металеву провідність. Зворотній Перехід SiII ® SiI НЕ встановлений.
При обробці зразків SiII лещатах рентгенографічно при атмосферних умів виявлено 2 модіфікації: SiIII и SiIV. Нагрівання модіфікації SiIII до 200-600 ° С виробляти до перебудови решітки и появи модіфікації SiIV, структура Якого є типом гексагонального вюрциту. SiIV є метастабільною фазою в Доданий лещатах. Щодо SiIII Можливі 2 припущені: або це стабільна фаза з областю Існування нижчих 12 ГПа при 20 ° С з ОЦК решіткою, або це проміжна фаза, что вінікає з SiII Із тетрагонального структурою при знятті лещатах. Фаза SiII при 12 ГПа переходити в надпровідній стан при Т=6,7 К [11].
У літературі описана Температурна залежність Деяк властівостей напівпровіднікового кремнію, зокрема, коефіцієнту термічного Розширення (КТР), твердості, параметра гратки, електричних властівостей при атмосферному Тиску в области від Т=20 ° С до Т < Тпл [9-11]. При ФП в результаті переходу з одного крісталічного стану в Інший стрібкоподібно змінюються Властивості напівпровіднікового кремнію: теплові, об'ємні, Механічні, електричної. Встановлення залежних властівість-температура и властівість-тиск дозволяє віявіті ФП.
Зазвічай, ФП розвівається з великою шві...
