дкістю, прот, це справедливо Тільки для окрем ділянок. Об'ємна ШВИДКІСТЬ Перетворення, обумовлена ??розмірамі и числом ділянок Нової Фазі, что утворюються в Одиниця годині, є, найчастіше, малою, хочай ШВИДКІСТЬ Утворення самих ділянок Дуже велика.
ВРАХОВУЮЧИ об'ємну ШВИДКІСТЬ Перетворення, температурний залежність властівостей кремнію [9], Вивчай при нагріві Зі швідкістю 5 ° С / хв. Вивчення властівостей напівпровіднікового кремнію при більш високих швидкостей віявляє монотонну залежність.
аномальний характер температурної залежності лінійніх Розмірів зразків свідчіть про наявність різніх фаз кремнію в питань комерційної торгівлі інтервалах температур, у зв'язку з Утворення якіх и спостерігаються зафіксовані Зміни.
У роботах [10] опісані наступні ФП в кремнії, что реалізуються при нагріві. Узагальнення результатів ДОСЛІДЖЕНЬ структурованих особливо чистого кремнію приводити до вісновків, что при нагріві Зі швідкістю НЕ більше 5 ° С / хв у локальних про ємах кристалу відбуваються наступні фазові Перетворення:
при 250-350 ° С Si ГЦК ® Si РОМБ;
при 680-700 ° С Si РОМБ ® Si ОЦК;
при 1150-1200 ° С Si ОЦК ® Si ГЦУ;
при 1420 ° С Si ГЦУ ® Р
Нізькотемпературні Перетворення (I і II) характеризуються малими значеннями D Н і могут буті віднесені до ФП, Які прізводять до зсувів атомів решітки на невелікі відстані. Такі Перетворення є зсувнімі. У Основі зсувного механізму Перетворення лежить впорядкована перебудова решітки. Гратки обох модіфікацій сполучені (пріпасовані). Зсувній Перехід ПОЧИНАЄТЬСЯ гетерогенно. Зародки вінікають в місцях, де є відповідні діслокаційні Вузли (ШВИДКІСТЬ зростанню порядку 10 3 м / с). ШВИДКІСТЬ поліморфного Перетворення особливо велика в бездефектних кристалах. ФП III характерізується значний тепловим ефектом, отже, високотемпературна Перетворення в кремнії є фазовим переходом 1-го роду и відбувається путем кардінальної перебудови решітки. Характерна особлівість ФП 1-го роду - наявність границі розділу между фазами, тому подібні переходь полягають в істотній перебудові крісталічної структур.
Результати калоріметрічного АНАЛІЗУ особливо чистого напівпровіднікового кремнію [11] дозволяють сделать Висновок про розмітість ФП, что пов'язано:
по-перше, з Утворення поліморфніх модіфікацій з близьким один одному типом решітки;
по-друге, з нерівномірнім розподілом по кристалу домішковіх атомів, зокрема, О 2, Н 2, С;
по-Третє, з нерівномірнім розподілом дефектів.
Таким чином, в Данії годину можна вважаті твердо встановленим, что при нагріві напівпровіднікового кремнію спостерігається ущільнення крісталічної решітки ще до Т ПЛ, обумовлення зниженя ступенів направленості зв'язку и супроводжується переходом в металевий стан. Перехід в металевий стан ковалентних крісталів может буті досягнутості Незалежності від способу Порушення решітки та методів впліву на кристал.
Механізм переходу ковалентних крісталів у металевий стан при різніх способах збудження решітки один и тієї ж: зміна Електронної субструктуру крісталів, зокрема, розрив sp 3-гібрідніх зв'язків, что супроводжується зниженя ширини забороненої зони та відповіднім збільшенням числа носіїв заряду [11, 12]. ...
