ість радіаційних переходів із зростанням атомного номера росте набагато сильніше (~ Z 4). Тому із зростанням атомного номера, внаслідок значного збільшення ймовірності радіаційних переходів, відносна ймовірність прояву безізлучательних оже-переходів зменшується. для легких атомів відносна ймовірність оже-переходів складає ~ 95%, а для важких (Z> 70) ~ 10%.
Глибина виходу оже-електронів
Висока чутливість ЕОС до умов на поверхні обумовлена ??малою середньою довжиною вільного пробігу електронів з кінетичною енергією 20-250 еВ. Оже-електрони, які віддали енергію на збудження плазмових коливань, на збудження внутрішніх оболонок або на міжзонного переходи, виключаються з спостережуваних оже-піків і стають частиною майже однорідного фону, на який накладаються оже-піки. Втрати на фононах малі порівняно з природною шириною оже-піків і не впливають на глибину виходу. Тому вихід оже-електронів не залежить від температури зразка.
Глибину виходу оже-електронів найчастіше визначають дослідним шляхом, завдаючи атомно-однорідні шари на металеві підкладки і реєструючи при цьому ослаблення оже-піків підкладки. Амплітуда піків експоненціально зменшується зі збільшенням товщини покриття, що узгоджується з експоненціальною залежністю ймовірності виходу від глибини, на якій розташований еміттіруєт атом. На основі даних різних експериментаторів була побудована «універсальна» крива глибини виходу, представлена ??на малюнку вище. На малюнку видно, що глибина виходу слабо залежить від виду матриці. Це й зрозуміло, бо основні механізми втрат включають в себе збудження електронів валентної зони, а густину валентних електронів не є сильно мінливої ??функцією Z .
електронна спектроскопія іонну розпилення
Аналіз тонких плівок
У комбінації з іонним розпиленням характерну для ЕОС чутливість до стану поверхні можна використовувати для визначення профілю концентрації елементів по глибині в тонких плівках. Як показано на малюнку нижче, іонний пучок створює кратер, діаметр якого набагато більше діаметру електронного зонда. Профіль концентрації по глибині отримують шляхом безперервної реєстрації елементного складу на дні кратера в ході розпилення. Іонна бомбардування, проведена одночасно з електронною, надає мале вплив на оже-аналіз, оскільки число вторинних електронів, порушуваних іонним пучком, набагато менше, ніж при порушенні первинним електронним пучком. Необхідну для нормальної роботи іонної гармати постійний тиск аргону - 5 * 10 - 5 мм. рт. ст. також практично не впливає на роботу оже-спектрометра.
Головною перевагою безперервного іонного розпилення в ході запису оже-спектра перед записом спектра в перервах іонного розпилення є сильне зменшення поверхневих забруднень. В умовах, типових для вимірювання профілів, поверхню розпорошується зі швидкістю кілька атомних шарів в секунду. Якщо парціальний тиск активних газів підтримується на рівні К) - 7 мм рт. ст. або менше, то максимальна швидкість адсорбції забруднень становить 0,1 моношару в секунду. За таких умов концентрація поверхневих забруднень не може перевищувати декількох відсотків атомного шару. Відкачування активних газів титановим іонно-сорбційним насосом, охолоджуваним рідким азотом, дозволяє домогтися зна...
