, насамперед, звільнити потерпілого від дії струму. Після звільнення потерпілого від дії струму необхідно приступити до надання першої допомоги:
Якщо потерпілий прийшов до тями, його потрібно укласти на суху підстилку і накрити сухим одягом. Викликати лікаря. Не можна дозволяти йому рухатися, тому що негативна дія струму може проявитися не відразу; якщо потерпілий без свідомості, але у нього стійке дихання і пульс, то його необхідно зручно укласти, забезпечити приплив свіжого повітря, постаратися привести в свідомість (бризнути в обличчя водою, піднести нашатирний спирт) і чекати лікаря.
При відсутності ознак життя (відсутність дихання і пульсу) МОЖНА вважати постраждалого мертвим, оскільки смерть може бути удаваній. Заходи щодо пожвавлення проводять в наступному порядку:
відновлюють прохідність дихальних шляхів;
проводять штучне дихання методом рот в рот або рот в ніс;
роблять непрямий масаж серця.
Штучне дихання і масаж серця слід проводити безперервно до прибуття лікаря, який повинен бути викликаний негайно.
Переносити потерпілого в інше місце слід тільки в тих випадках, коли йому або особа, послугами допомогу, продовжує загрожувати небезпека або коли надання допомоги неможливо.
Висновок
Підводячи підсумки дипломного проекту, можна сказати, що проведена обширна робота по створенню лабораторного комплексу, який дозволить заповнити недолік спеціалізованого обладнання для проведення досліджень в області напівпровідникової техніки, в нашому випадку, світлодіодів на основі GaN і Дрига матеріалів. Проведені нами попередні дослідження показали, що розробка такої системи є актуальною в наш час, особливо коли в країні діє програма зі створення енергозберігаючого освітлення. Завдяки цьому є всі передумови, щодо продовження роботи в даному напрямку, для створення сучасної лабораторної установки.
Таким чином, в результаті розробки нашої системи стає можливим з'ясувати природу процесів призводять до деградації гетероструктур СІД, внесок у ці процеси різних дефектів. Удосконалити методику теплових розрахунків, що дозволить із застосуванням спеціалізованих пакетів описаних вище, побудувати точну модель процесів відбуваються в кристалі світлодіода. У підсумку з'явиться можливість точного визначення параметрів приладів на основі GaN, прогнозування їх терміну служби, удосконалення технології їх виготовлення.
Список використаних джерел
1. Никифоров С. Г. Проблеми, теорія і реальність світлодіодів// Компоненти і технології.- 2005. - №5.
2. Абрамов В. С., Никифоров С. Г, Сушков В. П., Шишов А. В. Особливості конструювання потужних білих світлодіодів//Світлодіоди і лазери. 2003. №№ 1-2.
. Закгейм Д.А., Смирнов І.П. та ін. Високопотужні сині фліп-чіп світлодіоди на основі AlGaInN// ФТП.- 2005. - т.39.- Вип.7.- C. 885.
. Рожанський І.В., Закгейм Д.А. Аналіз причин падіння ефективності електролюмінесценції світлодіодних гетроструктур AlGaInN при великій щільності струму накачування//ФТП.- 2006. - Т. 40. - Вип. 7. - С. 861 - 867.
. Ходаков А.М. Математичне моделювання теплоелектріческіх процесів в структурах напівпровідникових виробів з дефектами. Автореферат дис. к.ф.-м.н., Ульяновск, УТУ, 2010.
. Поліщук А., Туркін А. Деградація напівпровідникових світлодіодів на основі нітриду галію і його твердих розчинів// Компоненти і технології. 2005.? №2.- C.25? 28.
7. Субач С.В. Особливості формування фазових неоднорідностей в гетероепітаксійних шарах InP і InGaAs/Дисс. канд. ф.-м. наук, Томськ, ТГУ, +2001, 184 с.
. Дулов О.А. Деградація електрофізичних характеристик світлодіодів на основі гетероструктур InGaN на SiC під впливом електричного навантаження/Праці 5 науково-практичної конференції «Сучасні проблеми створення та експлуатації радіотехнічних систем», Ульяновск, 19-20 червня 2007
9. Бочкарьова Н.І., Жирнов Е.А., Єфремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.І., Шретер Ю.Г. Неоднорідність інжекції носіїв заряду і деградація блакитних світлодіодів//ФТП.- 2005. - Т. 39. - С. 829.
. А.Л. Закгейм, М.Є. Левінштейн, В.П. Петров, А.Є. Черняков, Є.І. Шабуніна, Н.М. Шмідт. Низькочастотний шум у вихідних і деградованих синіх InGaAs/GaN-світлодіодах//ФТП.- 2012. - Т. 46. - вип. 2. - С.219-223.
. Анісімова Л.Л., Гутаковскій А.К., Ивонин І.В., Преображенський В.В., Путято М.А., Семягін Б.Р., Субач С.В. Освіта дефектів в епітаксійних шарах// Журнал структурної хімії.- 2004. - Том 45. - С. 96 - 101.
. Бочкарьова Н.І., Жирнов Е....
