, що утворюють омічний контакт відповідно з верхніми і нижніми горизонтальними р + (п +) областями, при цьому нижній шар ізотопу утворює електрод анода (катода) на поверхні верхнього шару ізотопу і частини верхньої поверхні пластини розташований діелектрик, на якому розташований металевий електрод катода (анода) утворює омічний контакт з контактною п + (р +) областю.
Способом виготовлення, що складається створенні вертикальної кільцевої р + (п +) області шляхом проведення першої фотолітографії, траленні в пластині глибокої кільцевої щілини і дифузії в її поверхню домішки р + (п +) типу, створенні верхньої горизонтальної р + (п +) області шляхом проведення другої фотолітографії по верхній поверхні пластини та імплантації акцепторной (донорной) домішки в її верхню і нижню поверхню і подальшого температурного відпалу радіаційних дефектів, формуванні п + (р +) контактної області шляхом проведення третьої фотолітографії по верхній поверхні пластини та імплантації в неї донорной (акцепторної) домішки і подальшого температурного відпалу радіаційних дефектів, осадженні на верхню і нижню поверхню пластини шарів радіоактивного ізотопу, проведення четвертої фотолітографії видалення частини верхнього шару ізотопу розташованого на поверхні підкладки п- (р-) типу та контактної п + (р +) області, осадженні діелектрика на верхній шар ізотопу і частина верхньої поверхні пластини, проведення п'ятого фотолітографії - розтину контактного вікна до п + (р +) контактної області, осадженні на верхню поверхню пластини металу, різання пластини на чіпи.
Конструкція прототипу показана на рис. 1, де а - структура, б- топологія.
тут 1- слаболегірованних напівпровідникова пластина п- типу провідності, 2- п + сильно легована область, 3- р- область р-п переходу, 4 матеріал радіоактивного ізотопу, 5-діелектрик - оксид кремнію, 6 електрод анода, 7-електрод катода.
Конструкція перетворювача по винаходу показана рис. 2, де а - структура, б- топологія, в- еквівалентна електрична схема.
У конструкції є напівпровідникова пластина п (р) типу провідності - 1, на верхній і нижній поверхні якої розташовані сильно леговані відповідно верхня - 2 і нижня - 3 горизонтальні р + (п +) області, до них примикає вертикальна р + (п +) кільцева область - 4, на верхній поверхні пластини також розташована п + (р +) контактна область - 5, на поверхні верхньої горизонтальних р + (п +) і -п (-р) областей - 1 і 2 розташований шар верхнього діелектрика - 6, під ним розташований верхній шари радіоактивного ізотопу - металу - 8, відповідно під нижнім горизонтальним р + (п +) шаром - 3 розташований нижній шар радіоактивного ізотопу - металу - 9, верхній контакт - 7 підводиться до п + (р +) контактної області - 5.
(Приклад конкретної реалізації)
Технологія виготовлення перетворювача по винаходу
показана на рис. 3 і складається з наступної послідовності технологічних операцій:
а) - термічне окислення кремнієвих пластин КЕФ 5 до ?? см з орієнтацією (100);
проводять перший фотолитографию і травлення пластин по межах чіпів;
проводять формування вертикального р + шару шляхом глибокої дифузії бору аж до змикання верхнього і нижнього фронтів;
б) - проводять другу фотолитографию і формують іонним легуванням бору дозою D=500 мкКул енергією Е=40 кеВ р + верхню горизонтальну область і р + нижню горизонтальну область;
в) - проводять 3-ую фотолитографию і формують п + контактний шар іонним легуванням фосфору дозою D=300 мкКул з енергією E=40 кеВ;
проводять термічний отжиг радіаційних дефектів при температурі Т=900? С протягом t=40 хвилин;
г) - проводять четвертий фотолитографию формування верхніх вікон;
осаджують радіоактивний ізотоп - нікель - 63 на верхню частину пластини;
осаджують радіоактивний ізотоп - нікель - 63 на всю нижню частину пластини;
д) - проводять п'ятий фотолитографию формування верхніх вікон до контактних п + майданчикам;
проводять плазмохимическое осадження оксиду на верхню поверхню пластини;
д) - проводять осадження металу на верхню частину пластини для створення контакту з п + областю;
ріжуть пластини на чіпи (кристали).
Принцип дії перетворювача заснований на іонізації напівпровідникового матеріалу, наприклад, кремнію бета випромінюванням ізотопів (нікелю, стронцію, кобальту і т.д.). Утворені при цьому електронно діркові пари розділяються полем р-п переходу в області просторового заряду (ОПЗ) і створюють різницю потенціалів на р + і п + областях перетворювача. (Бетагальваніческую е....
