d the preparation process thereof. USA Patent US 20140225472A1. Pub. date: 14.08.2014г.
Формула винаходу
Планарний перетворювач іонізуючих випромінювань
П1 конструкція містить слаболегірованних напівпровідникову пластину п (р) типу провідності, в якій розташована сильнолегованому п + (р +) область на поверхні якої розташований електропровідний електрод катода (анода), на верхній поверхні пластини розташована сильнолегованому р + (п +) область, що утворює з напівпровідникової пластиною р-п перехід, на поверхні р + (п +) області розташований шар ізолюючого діелектрика і електропровідний електрод анода (катода), що є радіоактивним ізотопом, що відрізняється тим, що на верхній і нижній поверхнях слаболегірованних напівпровідникової пластини - п (-р) типу провідності розташовані сильно леговані відповідно верхня і нижня горизонтальні р + (п +) області, які утворюють з пластиною р- п переходи р- i- п діода, при цьому вони з'єднані між собою вертикальною р + (п +) кільцевий (замкнутої) областю, на верхній поверхні пластини також розташована п + (р +) контактна область до пластини - п (-р) типу провідності, на верхній поверхні горизонтальної р + (п +) області розташований шар верхнього діелектрика , що містить контактна вікно до п + (р +) контактної області, на поверхні верхнього р + (п +) шару під діелектриком розташований верхній шар радіоактивного ізотопу - металу, відповідно, нижній шар радіоактивного ізотопу - металу розташований на поверхні нижнього р + (п +) шару, на верхньому шарі діелектрика розташований контактний шар металу з п + (р +) контактної областю, контактом до нижньої горизонтальної р + (п +) області є нижній шар радіоактивного ізотопу - металу, зазначені контакти є електродами катода (анода) і анода (катода) відповідно р- i- п діода.
П2 Спосіб виготовлення по П1, який полягає у формуванні на поверхні напівпровідникової підкладки п (р) типу провідності шарів п + (+ р) типу і р + (п +) типу провідності, осадженні на поверхню шару п + (р +) типу провідності радіоактивного ізотопу нікелю і формуванні електрода катода (анода), що утворює з цією областю омічний контакт, осадженні на поверхню шару р + (п +) типу провідності радіоактивного ізотопу нікелю і формуванні електрода анода (катода), що утворює з цією областю омічний контакт, що відрізняється тим, що формують, вертикальну кільцеву р + (п +) область шляхом проведення першої фотолітографії, в подальшому траленні в пластині глибокої кільцевої щілини і дифузії в її поверхню домішки р + (п +) типу, створенні верхньої горизонтальної р + (п +) області шляхом проведення другої фотолітографії по верхній поверхні пластини та імплантації акцепторной (донорной) домішки в її верхню і нижню поверхню і подальшого температурного відпалу радіаційних дефектів, формуванні п + (р +) контактної області шляхом проведення третьої фотолітографії по верхній поверхні пластини та імплантації в неї донорной (акцепторної) домішки і подальшого температурного відпалу радіаційних дефектів, осадженні радіоактивного ізотопу - нікель - 63 на верхню частину пластини шляхом проведення четвертого фотолітографії, а також осадженні радіоактивного ізотопу - нікель - 63 на всю нижню частину пластини , проведенні низькотемпературного плазмохимического осадження оксиду на верхню поверхню пластини шляхом проведення п'ятого фотолітографії, осадженні металу на верхню частину пластини для створення контакту, різання пластини на чіпи.
Реферат
Справжнє винахід відноситься до області перетворювачів енергії оптичних і радіаційних випромінювань в електричну енергію. Метою винаходу є створення планарного перетворювача - бета батарейки з підвищеною енергоємністю на одиницю об'єму в порівнянні з традиційною конструкцією р- i- п діода.
Мета досягається шляхом створення оригінальної «планарної» конструкції перетворювача, реалізованої за стандартною мікроелектронної технології. Особливостями такої конструкції є розміщення збирають випромінювання р-п переходів на обох сторонах кремнієвої пластини і симетричному розташуванні електродів анода і катода діода.
Такий перетворювач може бути використаний в вибухонебезпечних приміщеннях? шахтах, в безпілотних літальних апаратах, нічних індикаторах і сенсорах, розташованих у важкодоступних місцях і т.д.
Додаток 3
ПЕРЕТВОРЮВАЧ ОПТИЧНИХ І радіаційного випромінювання
Справжнє винахід відноситься до області перетворювачів енергії оптичних і радіаційних випромінювань в електричну енергію (е.р.с.).
Відомі конструкції 3-ех мірних - (3D) перетворювачів оптичних і радіаційних випромінювань в електричну енергію [1-4].
Такі перетворювачі не вол...
