вора з еміттеромV GE = 0, V CE = V CES , T j = 25 (125) В° C 0,10,3 мА V CE (TO) постійне порогове напруга колектор -еміттерT j = 25 (125) В° C 1,05 (1) В r CE диференціальне опір відкритого каналаV GE = 15 V, T j = 25 (125) В° C 14 (18,7 ) мОм V CE (sat) напруга колектор-емітер насищеніяI Cnom = 75 A, V GE = 15В, на рівні кристала 2,1 (2,4) 2,5 (2,8) В C ies вхідна емкостьпрі наступних умовах: V GE = 0, V CE = 25 В, f = 1 МГц 4,2 нФ C oes вихідна ємність 0,5 нФ C res зворотна перехідна ємність 0,3 нФ L CE паразитная індуктивність колектора-емітера 30 нГн R CC '+ EE' сумарне перехідний опір висновків колектора і еміттератемпература висновків напівпровідника T c = 25 ( 125) В° C 0,75 (1) мОм t d (on) тривалість затримки включеніяV CC = 300 В, I Cnom = 75 A 60 нс t r час нарастаніяR Gon = R Goff < span align = "justify"> = 15 Ом, T j = 125 В° C 50 нс t d (off) тривалість затримки виключені...
