gn="justify"> і ?? =?/8 схематично можна представити у вигляді чотирьох послідовно з'єднаних блоків, кожен з яких дає зсув по фазі, відповідно, на ?/8,?/4, ?/2 і ?.
Зрештою, результуючий зсув по фазі буде 2 ?. ФВ на зрушення ?/8,?/4, і ?/2 конструктивно виконані за однією схемою, тому розрахуємо ФВ тільки на ?? =?/8.
Електрична принципова схема подібного фазовращателя має наступний вигляд (рис. 3.1а) [8]. Мікрополоскові лінії WL1, WL8 служать входом і виходом пристрою. Діоди VD1, VD2 здійснюють перемикання навантаження відрізків ліній WL3, WL5. Відрізок лінії WL2 забезпечує необхідний фазовий зсув між навантаженнями лінії WL3, WL5. Конденсатори С1, С2 забезпечують нульовий потенціал СВЧ складової на анодах діодів (у точках підключення керуючих напруг діодів). Короткозамкнений четвертьволновий шлейф WL7 забезпечує ланцюг постійного струму управління діодами. p align="justify"> Моделювання дискретного фазовращателя на схемотехническом рівні може проводитися без урахування нелінійних властивостей діодів, оскільки вони використовуються в ключовому режимі, при якому можуть бути описані еквівалентними схемами у відкритому і закритому станах (рис. 3.1б, в).
В
а б в
Рис. 3.1. Електрична принципова схема фазовращателя (а), еквівалентні схеми pin діода у відкритому (б) та закритого (в) станах
Безкорпусний НВЧ pin діод у відкритому стані може бути описаний еквівалентною схемою у вигляді активного опору невеликої величини (3-7 Ом), залежного від типу діода і струму управління. У закритому стані еквівалентна схема являє паралельне включення активного зворотного опору діода (1 - 5 кОм) і ємності pn переходу (менше 0.1 пФ). p> Вхідна WL1 і вихідна WL8 лінії мають хвильовий опір Ом.
Хвильовий опір чвертьхвильових відрізків
.
Довжина хвилі в лінії
.
Для знайдених параметрів розрахуємо розміри микрополосковой лінії. Для цього скористаємося модулем програми Microwave Office TXline. Виберемо діелектричну підкладку з матеріалу alumina з діелектричної проникливістю і тангенсом кута діелектричних втрат. Провідник виберемо з міді (copper). Результати розрахунків геометричних параметрів лінії при та Ом і довжини чвертьхвильових відрізків наведено на рис. 3.2 і рис. 3.3. br/>В
Рис. 3.2. Розрахунок геометричних параметрів МПЛ при Z = 50 Ом
...
