В
Рис. 3.3. Розрахунок геометричних параметрів МПЛ при Z = 125 Ом
Вищеописану схему для фазового зсуву на? використовувати не варто за великих втрат при проходженні сигналу (S21 близько-40дБ). Зазвичай, для зсуву фази на? і більше застосовують кільцеві лінії з чвертьхвильові діаметром, але через труднощі розрахунку спростимо завдання до розрахунку квадрата з довжиною сторони?/4. Електрична схема такого фазовращателя представлена ​​на малюнку 3.4. br/>В
Рис. 3.4. Електрична принципова схема фазовращателя на фазовий зсув? br/>
мікрополоскові лінії WL1, WL8 служать входом і виходом пристрою з Ом. Довжина WL2 = WL3 = WL5 = WL9 =?/4. Короткозамкнений четвертьволновий шлейф WL7 повинен мати мінімально можливу ширину. p> Ширина відрізків WL3, WL5, WL1 і WL8 однакові з відрізками ФВ на?/8 і рівні 0,98 мм.
Ширина Н WL2 і WL9 =
При моделюванні відкритий опір діода було прийнято рівним 3 Ом, в закритому стані зворотне опір було дорівнює 3 кОм, а ємність 0.05 пФ. Електричні принципові схеми фазовращателей, виконані в Microwave Office 2002, для закритих станів діодів наведені на малюнках 3.5 і 3.6, для фазових зрушень?/8 і?, Відповідно, на частоті 2.4ГГц. br/>
4. Розробка конструкції пристрою
Конструктивно фазообертач виконаний на МПЛ з діелектричної підкладкою з оксиду алюмінію Al2O3, товщиною 1 мм, діелектричної проникливістю і тангенсом кута діелектричних втрат. Провідні доріжки виконані з міді товщиною 0,01 мм. Як діодів використані 2А544А-5, висота - 0,16 мм, довжина 0,8 мм, ширина - 0,8 мм, діаметр - 0,25 мм, ємність переходу - 0,5 пФ, опір пропускання 3000 Ом, опір замикання 3 Ом, критична частота - 250 ГГц, габарити, яких наведені на малюнку 4.1. Конденсатори керамічні SMD типу 4F03. br/>В
Рис. 4.1. Габарити 2А544А-5
Топологія провідників плати фазовращателя наведені на малюнках 4.2 і 4.3, для фазових зрушень?/8 і?, відповідно.
В
Рис. 4.2. Топологія провідників плати фазовращателя для фазового зсуву?/8
В
Рис. 4.3. Топологія провідників плати фазовращателя для фазового зсуву? br/>
5. Комп'ютерне моделювання характеристик пристрою
Комп'ютерне моделювання характеристик фазовращателя вироблено в програмі Microwave Office 2002. При моделюванні відкритий опір діода було прийнято рівним 3 Ом, в закритому стані зворотне опір було дорівнює 3 кОм, а ємність 0.05 пФ. p> Результати моделювання фазовращателя на зрушення фази?/8 наведено на малюнку 5.1.
В
а б
В
в м
Рис. 5.1. Результати моделювання дискретного фазовращателя на зрушення фази?/8 при закритих pin діодах (а, б) і відкритих діодах (в, г); графіки а, в-амплітудні характеристики, б, г - фазові характеристики
З результатів моделювання випливає, що при перемиканні стану діодів фазовий зсув що проходить хвилі змінюється на 22.4680. Коефіцієнт проходження хвилі при цьо...
