ратурної залежності теплоємності в полікристалічних і епітаксійних плівках, обумовлений різним взаємодією плівки з підкладкою. Аналізуються можливі причини В«розмиттяВ» аномалії теплоємності тонких сегнетоелектричних плівок і нелінійний характер залежності температури максимуму теплоємності від товщини плівки.
Використання ефекту фотопьезоіндукціі в високоомних монокристалах GaAs [1] представляється перспективним для створення вузькосмугових резонансних фотоприймачів інфрачервоного і видимого діапазонів частот. Ефект проявляється в тому, що імпульсна оптичне опромінення пластин GaAs породжує об'ємну фото-е.р.с. і через зворотний пьезоеффект викликає резонансні механічні коливання пластини.
Мінлива механічна деформація в результаті прямого п'єзоефекту викликає імпульси е.р.с. на бічних гранях пластини. Таким чином, енергія оптичних імпульсів через пьезоеффект перетвориться в енергію електричних імпульсів. Завдяки високою механічною добротності монокристалів GaAs (~ 10 5 ) це перетворення характеризується високою селективністю по відношенню до частоти модуляції світла, що може бути використано в завадостійких системах оптичного зв'язку.
Однак перешкодою до цього є демпфірующее вплив електронно-механічної релаксації [1], пов'язаної з наявністю глибоких домішкових центрів таких як Cr, Fe, Co, Ni, Mn, а так само центрів типу EL, яка проявляється у деякому інтервалі температур. Дослідження особливостей такого типу релаксації дозволило встановити, що акустичне загасання, викликане цим механізмом, найменше поблизу кімнатної температури в кристалах GaAs, легованих домішкою Fe в концентрації ~ 10 16 см -3 . Інтенсивна релаксація зазначеного типу починається лише при температурах нижче -50 про С і не потрапляє в температурний інтервал роботи більшості напівпровідникових приладів.
При розробці конструкції тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) на основі CdTe для інтенсифікації фотоелектричних процесів використовується ефект широкозонного В«вікнаВ», що дозволяє зменшити негативний вплив поверхневої рекомбінації нерівноважних носіїв заряду за рахунок видалення області їх активної генерації від освітлюваної поверхні. В якості широкозонного В«вікнаВ» для сонячного випромінювання актуальне використання сульфіду кадмію, ширина забороненої зони якого становить Eg = 2,4 еВ. Для оптимізації характеристик широкозонного В«вікнаВ» в полікристалічних плівкових гетеросистемах ITO/CdS/CdTe, перспективних для створення ефективних і економічних СЕ наземного застосування, досліджено вплив кристалічної структури на оптичні властивості шарів CdS, отриманих термічним випаровуванням, до і після відпалу на повітрі.
Рентгендіфрактометріческі встановлено, що з ростом товщини полікристалічних шарів CdS на склі від 0,24 мкм до 0,5 мкм розміри областей когерентного розсіяння (о.к.р.) зменшуються від 92 нм до 60 нм, зменшується також величина мікродеформацій (Оµ) від 1...
