4,9 * 10 -4 до 4,1 * 10 -4 . При цьому формуються плівки CdS стабільною гексагональної модифікації. Відпал на повітрі призводить до зменшення розмірів о.к.р. і збільшенню мікродеформацій. На основі аналізу експериментальних значень міжплощинних відстаней (d) в шарах CdS зроблено висновок про характер виникають у процесі конденсації залишкових макронапруг. При малих товщинах в плівках CdS виникають стискають макронапруг, а при товщинах більше 0,16 мкм - розтягують.
Аналітична обробка спектрів поглинання, розрахованих за експериментальними спектрами пропускання і віддзеркалення, свідчить про вплив товщини і кристалічної структури шару CdS на ширину забороненої зони. При збільшенні товщини шару CdS до 0,3 мкм ширина забороненої зони зростає до 2,42 еВ, а після відпалу - до 2,43 еВ. Середній значення коефіцієнта пропускання досліджених шарів CdS в спектральному діапазоні 550-850 нм, відповідному області фоточутливості сонячного елемента на основі CdS/CdTe, залежно від товщини і термічної обробки CdS становить (80-95)%. Це дозволяє використовувати їх в якості широкозонного В«вікнаВ» в фотоелектричних перетворювачах на основі плівкових гетеросистем CdS/CdTe. При цьому оптимальна товщина шару CdS становить 0,3 мкм.
У плівковій багатошаровій системі ITO/CdS/CdTe, що представляє основу конструкції досліджених СЕ, ефективність фотоелектричних процесів визначається дифузійним і лінійною взаємодією сполучаються шарів.
Експериментально встановлено [1], що в процесі виготовлення таких сонячних елементів у результаті дифузії сірки в базовий шар CdTe на міжфазній межі CdS/CdTe формуються варізонних прошарку твердих розчинів (CdS x Te 1 - x ). Оптимізація товщини і складу прошарків CdS x Te 1 - x є необхідним етапом розробки технології отримання ефективних плівкових СЕ. Це обумовлено тим, що формування прошарків твердих розчинів, що мають n - тип провідності, зміщує область вбудованого електричного поля від міжфазної межі CdS/CdTe вглиб базового шару CdTe, що зменшує негативний вплив поверхневої рекомбінації на ефективність фотоелектричних процесів.
Розроблено простий оптичний метод експресного аналізу складу та енергетичної структури варізонних прошарків твердих розчинів в конструкції сонячних елементів на основі CdTe. Визначення товщини і складу варізонних прошарків CdS x Te 1 - x на міжфазній межі CdS/CdTe проводиться шляхом моделювання експериментальних значень різниці коефіцієнтів пропускання гетеросистемах CdS/CdTe та окремих верств CdS і CdTe. Показано, що при моделюванні оптичних властивостей полікристалічних гетеросистем CdS/CdTe з варізонних прошарками твердих розчинів, оптимальний збіг теоретичних і експериментальних залежностей різниць коефіцієнтів пропускання спостерігається при товщині прошарку CdS x Te 1 - x 0,43 мкм і знач...
