Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Контрольные работы » Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторів

Реферат Одиночні підсилювальні каскади на біполярних транзисторів





ється при збільшенні температури на 10 В° С, і при b>> 1 приріст струму (b + 1) IКБО може виявитися порівнянною з вихідним значенням колекторного струму і навіть перевищити його. На малюнку 5, б показано великий зсув вихідних характеристик вгору. Сильний вплив температури на вихідні характеристики в схемі з ОЕ може призвести до втрати працездатності конкретних пристроїв, якщо не вжити схемотехнічні заходи для стабілізації струму або термостатування.

13. Яку форму має крива вихідної напруги, якщо вхідний сигнал перевищує допустиме значення?

Робочої областю вихідних характеристик в режимі посилення є область, обмежена гранично допустимими значеннями і областями насичення і відсічення. У цій області характеристики можна вважати практично лінійними, а транзистор - лінійним елементом, тобто повністю відкривається, і він перестає бути керованим струмом бази, тобто переходить у ключовою режим роботи.



В 

Малюнок 6-Амплітудна характеристика


14. Який порядок має коефіцієнт посилення по струму, по напрузі і вхідний опір каскаду ОЕ?

При включенні з загальним емітером посилення по струму має більшу величину і відбувається без повороту фази за рахунок транзистора. Посилення по напрузі в режимі холостого ходу велике і має практично таку ж величину, як у схемі із загальною базою. Однак при реальних опорах навантаження посилення по напрузі виходить більшим, ніж у схемі із загальною базою, через менший порівняно з цією схемою вихідного опору каскаду. Передача напруги здійснюється з внесеним транзистором поворотом фази на ПЂ. Вхідний опір більше, ніж для схеми із загальною базою, і значно менше, ніж для схеми з загальним колектором. Вихідний опір менше, ніж для схеми із загальною базою, і значно більше, ніж для схеми з загальним колектором.

15. Який порядок має коефіцієнт посилення по струму, по напрузі і вхідний опір каскаду ОК?

Посилення по струму має велику величину, практично рівну посиленню в схемі з загальним емітером, і відбувається з поворотом фази на ПЂ за рахунок транзистора. Посилення по напрузі відсутня, а передача напруги здійснюється без повороту фази. Вхідна опір значно більше, а вихідний опір значно менше, ніж для схем із загальною базою і з загальним емітером. Так як вхідна напруга каскаду повторюється на виході, тобто в емітерний ланцюга, практично без зміни за величиною і по фазі, каскад за схемою із загальним колектором носить назва емітерногоповторювача. Такий каскад застосовується для перетворення опорів без використання трансформатора.


В  Малюнок 7 - принципові електричні схеми підсилювальних каскадів із загальним емітером (а) і з загальним колектором (б) В  Таблиця 1 - Параметри елементів підсилюючих каскадів

R

R1

R2

R к1

Rе1

RГ1

Rг2

R3

R4

Rе2

кОм

22

20

1,3

1

1,1

1,1

18

200

2

З

Ср1

С1р1

Ср2

С1р2

Се1

Ср3

С1р3

СР4

С1р4

мкФ

30

0,05

30

0,05

200

30

0,01

30

0,05


Характеристики транзистора КТ312А:

Ik max = 30мА; UКЕmax = 20В; Pk max = 225мВТ; IКБО = 0,2 мкА; h21Е = 10 ... 100; fmax = 80МГц; rб = 900 Ом; Rе = 30 Ом; r * К = 30 кОм; ОІ = 50; Ск = 4 пФ. br/>В 

Малюнок 8-Характеристики транзистора КТ312А з проведеними лініями навантаження MN по постійному струму і навантаження СD по змінному струмі, а також обрана точка спокою А


Дані для розрахунку: Ек = 15В, Rн1 = 1кОм, Rн2 = 0,2 кОм, СН1 = СН2 = 0,01 мкФ

Проводимо лінію навантаження по постійному струму MN, використовуючи вихідні характеристики транзистора (рисунок 8). Лінія навантаження MN стоїтся по двох точках. Точка N відповідає режиму холостого ходу, коли Ік = 0, а Uке = Ек. Відповідно:


Назад | сторінка 4 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розробка стенда для дослідження підсилювача за схемою з загальним емітером, ...
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду за схемою з загальним емітером на транзи ...
  • Реферат на тему: Розрахунок підсилювального каскаду з загальним емітером
  • Реферат на тему: Підсилювальний каскад із загальним колектором