елінійні спотворення залежать постійної часу перезарядження конденсатора, з цього випливає, що елементами обуславливающими поява нелінійних спотворень у вихідному сигналі є конденсатори.
9. Як оцінюються нелінійні і частотні спотворення сигналів? p> Нелінійні спотворення викликані нелінійністю системи обробки і передачі сигналу. Ці спотворення викликають появу в частотному спектрі вихідного сигналу складових, відсутніх у вхідному сигналі. Нелінійні спотворення представляють собою зміни форми коливань, що проходять через електричну ланцюг (наприклад, через підсилювач або трансформатор), викликані порушеннями пропорційності між миттєвими значеннями напруги на вході цього ланцюга і на її виході. Це відбувається, коли характеристика вихідної напруги нелінійно залежить від вхідного. Кількісно нелінійні спотворення оцінюються коефіцієнтом нелінійних спотворень або коефіцієнтом гармонік. Типові значення КНІ: 0% - синусоїда; 3% - форма, близька до синусоїдальної; 5% - форма, наближена до синусоїдальної (відхилення форми вже помітні на око); до 21% - сигнал трапецеїдальної або ступінчастою форми; 43% - сигнал прямокутної форми.
Частотні спотворення викликані неідеальної амплітудно-частотної характеристики системи обробки і передачі сигналу. Показником ступеня частотних спотворень, виникають у якомусь устрої, служить нерівномірність його амплітудно-частотної характеристики, кількісним показником на будь-якої конкретної частоті спектра сигналу є коефіцієнт частотних спотворень.
Коефіцієнт частотних спотворень - відношення коефіцієнта передачі на середніх частотах до його значення на даній частоті.
10. Яким чином задається режим роботи транзистора підсилювального каскаду?
Нормальний активний режим. Перехід емітер-база включений в прямому напрямку (відкритий), а перехід колектор-база - у зворотному (закритий)
Інверсний активний режим. Емітерний перехід має зворотну включення, а колекторний перехід - пряме.
Режим насичення. Обидва pn переходу зміщені в прямому напрямку (обидва відкриті).
Режим відсічення. У даному режимі обидва pn переходу приладу зміщені у зворотному напрямку (обидва закриті).
Існують три схеми включення транзисторів у підсилюючих каскадах: з загальною базою, із загальним емітером і загальним колектором.
11. Як будується навантажувальна пряма по змінної складової по відношенню до вибраної точці спокою?
Вибравши робочу точку спокою А приблизно посередині лінії навантаження по постійному струму MN, проводимо через точку спокою А лінію навантаження СD по змінному струму під кутом g, котангенс якого пропорційний результуючий опір в ланцюзі колектора по змінному току: ctgg = (a/b) Rн1 ~, де a - масштабний коефіцієнт по осі ординат, мА/мм; b - масштабний коефіцієнт по осі абсцис, В/мм; Rн1 ~ = (Rк1Rн1)/(Rк1 + Rн1), кОм.
12. Чим викликана необхідність температурної стабілізації підсилювального каскаду?
Вплив температури на положення вхідної характеристики схеми з ПРО при підтримці незмінним її параметра аналогічно її впливу на ВАХ напівпровідникового діода. У нормальному активному режимі струм емітерного переходу можна представити формулою:
В
З ростом температури тепловий струм IЕО зростає швидше, ніж убуває експонента через збільшення jТ = kT/q. В результаті протилежної впливу двох факторів вхідні характеристики схеми з ПРО зміщуються вліво при обраному струмі IЕ на величину О”U (1 ... 2) мВ/В° С (Малюнок 4, а). p> Початок вхідної характеристики в схемі з ОЕ визначається тепловим струмом колекторного переходу IКБО який сильно залежить від температури, так що початок характеристики при збільшенні температури опускається (малюнок 4, б).
В
Малюнок 4-Залежність вхідних характеристик від температури для схем із загальною базою (а) і з загальним емітером (б)
Вплив температури на вихідні характеристики схем із загальною базою і з загальним емітером в нормальному активному режимі зручно аналізувати за формулами:
і.
Зняття вихідних характеристик при різних температурах повинно проводитися при підтримці сталості параметрів (IЕ = const в схемі з ПРО і IБ = const в схемі з ОЕ). Тому в схемі з ПРО під час IЕ = const зростання IК буде визначатися тільки збільшенням IКБО (малюнок 5, а).
В
Малюнок 5-Залежність вихідних характеристик БТ від температури для схем включення із загальною базою (а) і з загальним емітером (б)
Проте зазвичай IКБО значно менше О±IЕ, зміна IК складає долі відсотка і його можна не враховувати. У схемою з загальним емітером положення інше. Тут параметром є Іб і його треба підтримувати незмінним при зміні температури. Будемо вважати в першому наближенні, що коефіцієнт передачі b не залежить від температури. Сталість b в€™ IБ означає, що температурна залежність IК буде визначатися доданком (b + 1) IКБО. Ток IКБО (як тепловий струм переходу) приблизно подвою...
