-переходу.
Залежність струму насичення від температури для р-n- переходу, сформованого на кремнії, визначається виразом:
(9)
в) Диференціальний опір р-п - ​​переходу може бути визначено за формулою:
(10)
г) Визначення бар'єрної ємності р-п - ​​переходу. Величина питомої ємності різкого р-п - ​​переходу в загальному випадку розраховується за формулою:
(11)
При цьому товщина збідненого шару (ширина р-n -переходу) визначається виразом:
(12)
(13)
Для лінійно-плавних переходів:
(14)
де а - градієнт концентрації домішок.
Товщина збідненого шару в цьому випадку знаходиться за формулою:
(15)
д) Визначення напруги пробою U пр для несиметричного різкого р-п -переходу. Величина максимального значення напруженості електричного поля в р-n -переході визначається за формулою:
(16)
При заданому значенні ? m товщина збідненого шару р-n -переходу може бути знайдена W = W n + W p , де
В
Звідси товщина збідненого шару р-n -переходу дорівнює:
(17)
Напруга пробою для різкого несиметричного переходу можна знайти за формулою:
(18)
1.3 Структура метал-напівпровідник
а) Швидкість дрейфу носіїв заряду в збідненої області напівпровідника можна знайти за формулою:
(19)
де ? 0 максимальне значення напруженості електричного поля в напівпровіднику в області бар'єру Ш...
