отткі.
б) Висота бар'єру Шотткі:
для структури метал-кремній n- типу провідності:
(20)
для структури метал-кремній р- типу провідності:
(21)
в) Максимальне значення напруженості електричного поля в напівпровіднику розраховується за формулою:
(22)
за умови U = 0 , де W - товщина збідненого шару напівпровідника, U - напруга зсуву, тобто . p> В умовах рівноваги W визначається виразом:
(23)
де N - концентрація основних носіїв заряду в напівпровіднику.
Якщо ? D >> ? R то справедлива теорія термоелектронної емісії.
У тому випадку, коли ? D << ; ? R визначальним є процес дифузії.
г) Бар'єрна ємність контакту метал-напівпровідник визначається за формулою:
(24)
де А - площа контакту метал-напівпровідник.
1.4 Структура метал-діелектрик-напівпровідник
а) Структуру метал-діелектрик-напівпровідник можна розглядати як конденсатор. Загальну диференціальну ємність МДП-структури можна представити як послідовне з'єднання ємності діелектрика і змінної ємності просторового заряду біля поверхні напівпровідника:
(25)
б) Ємність просторового заряду З п залежить від величини поверхневого потенціалу ? s і щільності заряду Q x . Для ідеальної МДП-структури, що не враховує наявність поверхневих станів і, що припускає, що опір діелектрика є нескінченним, заряд можна виразити формулою:
(26)
де - дебаєвсьного довжина, N - концентрація основних носіїв заряду в напівпровіднику.
Умова (В±) перед цим виразом означає, що при ? s > 0 слід скористатися знаком (+), а при ? s <0 - знаком (-).
в) Залежність між ? s і U :
(27)
де U D -падіння напруги н...
