исторної логіки за технологією з окисної ізоляцією кишень). За технологією виготовлення ці схеми поступалися 2 роки західним розробкам [5]. p align="justify"> В історичному плані можна відзначити 5 етапів розвитку мікроелектроніки.
Перший етап, що відноситься до першої половини 60-х років, характеризується ступенем інтеграції ІС до 100 елементів/кристал і мінімальним розміром елементів порядку 10 мкм.
Другий етап, що відноситься до другої половини 60-х років і першій половині 70-х років, характеризується ступенем інтеграції ІС від 100 до 1000 елементів/кристал і мінімальним розміром елементів до 2 мкм.
Третій етап, що почався в другій половині 70-х років, характеризується ступенем інтеграції понад 1000 елементів/кристал і мінімальним розміром елементів до 1 мкм.
Четвертий етап, характеризується розробкою надвеликих ІС зі ступенем інтеграції понад 10000 елементів/кристал і розмірами елементів 0,1 - 0,2 мкм.
П'ятий, сучасний, етап характеризується широким використанням мікропроцесорів і мікро-ЕОМ, розроблених на базі великих і надвеликих ІС.
Історично виникнення і розвиток мікроелектроніки було підготовлено бурхливим ходом науково-технічної революції, що дала життя промислової кібернетиці, обчислювальній техніці, радіоелектроніці і вимагала тотальної мікромініатюрізациі всіх елементів електронної техніки. Створення в 1948 р. транзистора на основі монокристалічного напівпровідника і розробка в 1950-1951 рр.. перших плівкових пасивних елементів електронної техніки підготували міцну базу для створення технології мікроелектроніки. Практично народження мікроелектроніки відносять до 1957 р., коли була вперше розроблена її технологічна основа, тобто запатентовані методи локальної дифузії через маску оксиду, профільовану фотолитографией. Таким чином, сучасна мікроелектроніка бере початок від планарної технології на твердому тілі (активні елементи напівпровідникових інтегральних схем) і плівкової технології (пасивні елементи і гібридні інтегральні схеми) [8]. p align="justify"> Найважливіші процеси, використовувані в технології мікроелектроніки нанесення плівок і епітаксійних шарів, видалення (у розчинах і паро-газових середовищах) речовини з поверхні твердої фази, легування і дифузійне перерозподіл, - по суті є фізико-хімічними та мають певну особливість, пов'язану з протіканням їх на поверхні або в об'ємі твердої фази. Продуктом (напівфабрикатом) складної сукупності технологічних процесів (від 50 до 200 і більше операцій) є шматочок монокристала об'ємом від сотих часток до одиниць кубічного міліметра у вигляді Мікрогетерогенна, завідомо метастабільного твердого тіла, зобов'язаного працювати в дуже складних умовах і практично без обмеження терміну служби. У цьому відношенні технолог фізик хімік повинен забезпечити вирішення двох діаметрально протилежних завдань: 1) створити Мікроге...
