, приймаємо.
Товщина ланки при однополярному наборі
Б) Визначаємо кількість прокладок між шарами при різнополярних наборі
, приймаємо.
Товщина ланки при однополярному наборі
Визначаємо загальну товщину МПП при структурі Т - РЄ - ЕССЕ - ЄС - Т.
Розраховуємо оптимальну товщину
Товщина, обумовлена ??якістю монтажу мікросхеми
Можливість реалізації МПП з отриманими структурами із заданими електричними характеристиками
Умови реалізації МПП виконані.
Малюнок наприклад розрахунку МПП для структури Т - РЄ - ЕССЕ - ЄС - Т.
Література
1. Проектування друкованих плат для цифрової швидкодіючої апаратури. Л.Н. Кечіев - М.: ТОВ Група ІДТ, 2007
. Лазарєв Е.М. Лекції з курсу Проектування складних систем, МІРЕА
Додаток
Таблиця 3
Кількість сигнальних шарів NCКолічество потенційних верств NE1234561СЕЕСЕ2ССЕЕССЕ СЕ-ЕССЕ-Е-ЕССЕ-Е-Е-ЕССЕ-Е-Е-Е-ЕССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС3ССЕ-ЕСССЕ-Е-ЕСССЕ-Е-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ессс-Е-Е-Е-ЄС СЕ-Е-ЕСЕ-ессс-Е-Е-Е-Е-ЄС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕС4ССЕ-ЕССССЕ-Е-ЕССССЕ-Е-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ессс-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-ессс-Е-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЄС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕС5СЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ессс-Е-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-ессс-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕС6ССЕ-ЕССЕ-ЕССССЕ-Е-ЕССЕ-ЕССССЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЄС ССЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС7СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕСС8ССЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС
Малюнок 4
Малюнок 5
