вого шару на площу резистора. Для цього, не змінюючи інших параметрів, приймемо х б=2.5 мкм.
х б=2.5 мкм
Q п=5.295 * 10 14 см - 2
N ср=2.118 * 10 18 см - 3
N ср еф. =2.108 * 10 18 см - 3
N? =2.128 * 10 18 см - 3
? р=76.5 см 2 / В * с
? б=0.0388 Ом * м
R сл=155 Ом
a=30 мкм
L 1=14 мкм
L 2=34 мкм
L=78.8 мкм
S=(L + 2 * L 2) * L 2=4999.1 мкм 2
Площа резистора при зменшенні розміру х б зменшилася.
Тепер спробуємо розрахувати резистор при х б=3.5 мкм
Ітерація 2
Приймемо х б=3.5 мкм
х б=3.5 мкм
Q п=5.319 * 10 14 см - 2
N ср=1.520 * 10 18 см - 3
N ср еф. =1.510 * 10 18 см - 3
N? =1.530 * 10 18 см - 3
? р=84.1 см 2 / В * с
? б=0.049 Ом * м
R сл=141 Ом
a=30 мкм
L 1=14 мкм
L 2=34 мкм
L=88.4 мкм
S=(L + 2 * L 2) * L 2=5317.6 мкм 2
За допомогою двох ітерацій і попереднього розрахунку ми встановили, що площа резистора пропорційна товщині базового шару. З урахуванням цього приймаємо остаточне рішення з цього параметру:
х б=2.5 мкм
Ітерація 3
Потім при вже певній товщині базового шару оцінимо вплив ширини лінійної частини резистора на його геометрію. Для початку візьмемо мінімально можливі 25 мкм.
х б=2.5 мкм
R сл=155 Ом
a=25 мкм
L 1=14 мкм
L 2=34 мкм
L 2 / a=1.36 1 / a=0.56=0.4=60.6 мкм
S=(L + 2 * L 2) * L 2=4372.4 мкм 2
Зменшення ширини лінійної частини резистора призвело і до зменшення її довжини і до зменшення площі всього резистора. Перевіримо, чи випадково це. Нехай a=34 мкм
Ітерація 4
х б=2.5 мкм
R сл=155 Ом
a=34 мкм
L 1=14 мкм 2=34 мкм 1 / a=0.41=0.35=85.8 мкм
S=(L + 2 * L 2) * L 2=5229.2 мкм 2
Наше припущення вірно: при збільшенні ширини довжина резистора, його габарити і площа, їм займана, дійсно збільшуються, тому приймаємо остаточне рішення:
a=25 мкм
Подальші ітерації повинні допомогти нам встановити залежність площі, займаної резистором, від форми і розмірів контактних областей. Спочатку збільшимо розміри вікна в оксиді L 1, залишивши L 2 незмінним:
Ітерація 5
х б=2.5 мкм
R сл=155 Ом
a=25 мкм
