Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Оцінка конструкторських і технологічних параметрів системи багатошарових металевих межсоединений при розробці БІС

Реферат Оцінка конструкторських і технологічних параметрів системи багатошарових металевих межсоединений при розробці БІС





льних світових витрат, відповідно. Третє місце займає Китай - 16%. Цілком можливо, що в еру 450-мм пластин збережеться велике число заводів з обробки 300-мм пластин.



. Вихідні дані


Мінімальний розмір елемента d, мкм 0,5

Число елементів N, шт 7.10 5

Напруга живлення U DD, В 2,2

Товщина подзатворного діелектрика t ox,? 100

Площа кристала S кр, мм 2290

Число контактних майданчиків на чіпі n кп, шт 1500

Розмір контактних майданчиків S кп, мкм 2 45 2

Крок контактних майданчиків, мкм 80


.1 Додаткові дані для розрахунку


Діелектрична проникність SiO 2? i, Ф / м 3,9

Діелектрична проникність Si? , Ф / м 11,9

Діелектрична постійна? 0, Ф / м 8,85 · 10 - 12

Концентрація вільних носіїв n, см - 3 1,5 · 10 - 10

Рухливість вільних носіїв? n, м 2 / c · В 0,15



. Розрахункова частина


.1. Виконання умови сильного електричного поля в каналі МОП транзистора


Критерій сильного поля



де - швидкість звуку



Напруженість у каналі:



Умови сильного поля в каналі виконуються, отже, швидкість електронів в каналі приймається рівною швидкості насичення.


.2 Час прольоту носіїв в каналі МОП транзистора


Для сильних полів використовується формула:



Для кремнію при кімнатній температурі



.3 Вибір перерізу смужки металізації


ширина смужки

відстань між смужками

крок металізації

товщина смужки металізації

Перетин смужки металізації:



.4 Визначення критичного значення струму, що протікає через смужку металізації в разі, якщо її матеріалом обраний алюміній



.5 Розрахунок опору відкритого транзистора з метою подальшого визначення струму, що протікає через транзистор і усереднену смужку металізації, для можливості вибору матеріалу металізації


Опір розраховується за формулою:



де

рухливість вільних носіїв для кремнію

питома ємність подзатворного діелектрика

товщина подзатворного діелектрика

діелектрична проникність вакууму

діелектрична проникність SiO 2

Для розрахунку приймемо

відношення ширини каналу до довжини каналу

різниця між напругою затвор-витік транзистора і пороговою напругою




.6 Розрахунок струму в ланцюзі відкритого транзистора


Опір навантажувального транзистора береться на порядок більше, ні...


Назад | сторінка 4 з 10 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження впливу форми контактних майданчиків на параметри виникаючих кол ...
  • Реферат на тему: Газорозподіл в шахтній печі металізації
  • Реферат на тему: Фізико-технологічні основи металізації інтегральніх схем
  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів кремнієвого інтегрального МДП-транзистора