МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
ДЕРЖАВНИЙ ВИЩИЙ НАВЧАЛЬНИЙ ЗАКЛАД
Фізико-технологічні основи металізації інтегральніх схем
Курсова робота
Зх курсу "Технологічні основи електроніки"
ЗМІСТ
ВСТУП
РОЗДІЛ 1. Елемент І компонентом ІНТЕГРАЛЬНІХ МІКРОСХЕМ
1.1 Підкладкі інтегральніх схем
1.2 Елементи ІС
РОЗДІЛ 2. ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОБНИЦТВА ІНТЕГРАЛЬНІХ МІКРОСХЕМ
2.1 Масковий метод
2.2 Метод фотолітографії
2.3 Комбінований метод
РОЗДІЛ 3. МЕТОДИ МЕТАЛІЗАЦІЇ ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
3.1 Термічне (вакуумні) напилення
3.2 Катодні напилення
3.3 Іонно-плазмові напилення
3.4 Анодування
3.5 Електрохімічне осадженим
ВИСНОВКИ
ЛІТЕРАТУРА
ВСТУП
Реалізація Принципів, Ідей, методів напівпровіднікової мікроелектронікі призвела до создания інтегральніх схем, что є цілімі прилаштувався и даже системами, розміщенімі в одному напівпровідніковому крісталі. Прото НЕ ВСІ Пристрої можна віготовіті помощью напівпровіднікової технології.
Паралельно з напівпровідніковім розвінувся и удосконалювався Інший конструктивно-технологічний вариант создания мікроелектронніх прістроїв, Заснований на технології тонких (до 1 мкм) i порівняно Товста (10 - 50 мкм) плівок. Чисто пасивні плівкові ІМС НЕ Набуля широкого Поширення через обмеження можливіть по Виконання ними функцій ОБРОБКИ сігналів, а реалізація плівковіх активних ЕЛЕМЕНТІВ виявило Неможливо через НИЗЬКИХ відтворюваність їх характеристик. Поєднання напівпровідніковіх мікросхем, активних напівпровідніковіх пріладів з Пасивні плівковімі елементами и плівковою комутацією дозволила создать мікроелектронні Пристрої з широким набором функціональніх можливіть.
РОЗДІЛ 1. Елемент І компонентом ІНТЕГРАЛЬНІХ МІКРОСХЕМ
В
1.1 Підкладкі інтегральніх схем
Підкладкі ІС є діелектрічною и механічною підставою для плівковіх и навісніх ЕЛЕМЕНТІВ и Службовцям тепловідводом. Материал підкладкі винен Володіти Наступний властівостямі и характеристиками:
1) високим опором ізоляції и ЕЛЕКТРИЧНА міцністю;
2) великим коефіцієнтом теплопровідності для ефектівної передачі теплотою від тепловіділяючіх ЕЛЕМЕНТІВ (резісторів, діодів, транзісторів) до корпусу мікросхеми;
3) Достатньо механічною міцністю;
4) стійкістю до Дії хімічніх реактівів в процесі підготовкі поверхні підкладкі перед нанесенням плівок;
5) стійкістю до Дії нагріву в процесі нанесення тонких плівок и термообробка Товста плівок;
6) здібністю до механічної ОБРОБКИ (різанню и так далі).
Структура матеріалу підкладкі и стан ее поверхні вплівають на параметри плівковіх ЕЛЕМЕНТІВ. Велика шорсткість поверхні підкладкі зніжує Надійність тонкоплівковіх резісторів и конденсаторів, оскількі мікронерівності зменшуються товщина плівок резісторів. При товщіні плівок близьким 100 нм допускається висота мікронерівностей пріблізно 25 нм. Товсті плівкі мают товщина 10 - 50 мкм, тому підкладкі для товстоплівковіх ІМС могут мати мікронерівності 1 - 2 мкм. [1]
1.2 Елементи ІС
Інтегральні мікросхеми складаються з ізолюючої Підстави (підкладкі), на поверхні Якого розміщені плівкові елєменти (резистори, конденсатори, спіралі індуктівності, провідники и Контактні площадки), а такоже навісні безкорпусні мініатюрні Активні (транзистори, діоді, Напівпровідникові) i пасивні (конденсатори, котушкі індуктівності и так далі) компоненти. Для захисту ІС поміщають в корпус. [3]
Плівкові резистори
Плівковій резистор розташовують на поверхні діелектрічної підкладкі, конструктивно ВІН Складається з резістівної плівкі певної конфігурації и контактних майданчиків.
Розміри контактної области повінні вібіратіся такими, щоб при якнайгіршіх поєднаннях геометричних Розмірів резистивного шару и контактних майданчиків Резистивна и провідна плівкі перекріваліся, забезпечуючі малий Перехідний Опір контакту в нізькоомніх резисторах. Як резістівні матеріали тонкоплівковіх резісторів Використовують чисті метали и сплави з високим ЕЛЕКТРИЧНА опором, а такоже СПЕЦІАЛЬНІ матеріали - КЕРМЕТ, Які складаються з частинок металу и діелектріка (Наприклад, Cr и SIO). p> Широко пошірені плівкі хрому и танталу. На Основі керметів, до складу якіх входять хром и монооксид кремнію, отримуються вісокоомні резистори. Для виготовлення товстоплівковіх резісторів застосовують пасти, что складаються з порошку скла, наповнювача и органічної зв'язки. Широко Використовують свінцеві и цінкові борсілікатні скла. Як наповнювач резистивних паст застосовують срібло, Паладій и їх сплави. [2]
резистори, что підганяються
Застосовують плавних и ступінчасту підгонку опору резісторів. Плавна підгонка Забезпечує точність до сотих до...
