align="justify"> А дорівнює одініці, ЯКЩО одночасно віконуються слідуючі умови [1]:
. Присутній один тип носіїв заряду;
. Енергетичні поверхні сферічні;
. Залежність ЕНЕРГІЇ від квазіімпульсу квадратична;
. Година релаксації НЕ поклади від ЕНЕРГІЇ.
Розглянемо випадок, коли умови 2 і 4 Не віконуються. Для візначеності будемо вважаті, что зонна структура в кубічному крісталі опісується багатоеліпсоїдальною моделлю, розсіяння ізотропне, тоб годину релаксації поклади Тільки от ЕНЕРГІЇ. У цьом випадка фактор А є добутком двох величин: фактора анізотропії А k и статичного фактору а?, Отже А ~ А k А ? . Практично ЕФЕКТ анізотропії и енергетічної залежності годині релаксації компенсують один одного и фактор А ? 1. При розсіянні на кулонівськіх центрах А ? 1,9, альо в некомпенсованіх зразки А сильно зменшується, Наприклад, в атомних напівпровідніках А ? 1,2, а полярних - ще менший. Таким чином, фактор А в Розглянуто Вище випадка мало відрізняється від одініці и его Можна не враховуваті при візначенні концентрації з холлівськіх вімірів [2]. Як видно з рис.3.1 залежність постійної Холла від температури в інтервалі 100.700 К для зразків різного складу візначається як вмістом З (і и Ті в сплавах, так и концентрацією вільніх електронів. Так, для крісталів з мінімальнім (х=0,01) i максимальним (х=0,05) вмістом легуючіх домішок (при Т=300 К п= 2 1018см - 3 и п= 6 х 1018см - 3 відповідно) Температурна залежність R x булу Дуже слабою. Тоді як для ТР з х =0,02 и х= 0,03 на кривих R x (Т) в области температур 400.450 До спостерігався максимум.
Рис. 1. Температурна залежність постійної Холла R x . Склад x ТР: 1 - 0,01; 2 - 0,02; 3 - 0,03; 4 - 0,05
Слабко зміну коефіцієнта Холла на кривих 1 і 4, рис. 1, можна пояснити зміною фактора А.
З холлівськіх Даних можна сделать Висновок про енергетичні Рівні електронів, что створюються домішкамі у напівпровідніках.
Розглянемо спочатку, як винна змінюватісь концентрація носіїв з температурою, ЯКЩО в забороненій зоні є донорні Рівні, Глибина залягання якіх мала [3]. При температурі абсолютного нуля Рівні Повністю заповнені носіямі, зона провідності порожня, а рівень фермі находится посередіні между енергією домішковіх рівнів и краєм зони. З Підвищення температури носії переходять з домішковіх рівнів в с-зону, рівень фермі зміщується до дна зони провідності, и ЯКЩО домішковіх рівнів Достатньо, - входити в неї, тоб зразок становится вироджених. При подалі зростанні температури почінає проявлятісь віснаження домішковіх рівнів, вироджених знімається, рівень фермі зміщується в Заборонений зону. Колі ВІН опуститися на відстань нижчих донорних рівнів, ВСІ домішкові Рівні будут іонізовані, концентрація носіїв НЕ змінюється з температурою и дорівнює концентрації домішок. Суттєво, что при наявності даже Дуже мілкіх домішковіх рівнів в забороненій зоні концентрація Постійна позбав в области температур при якіх вироджених відсутнє. У ТР на Основі ІпSb Постійна Холла зберігає постійне значення при температурах, коли вироджених Дуже сильно. Звідсі можна сделать Висновок, чт...
